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    一種光阻圖型之形成方法，其為包含使用含有經由酸之作用而增大對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)，與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份的光阻組成物，於支撐體上形成光阻膜之步驟、使該光阻膜曝光之步驟，及對該光阻膜，使用含有前述有機溶劑之顯影液經由正型顯影進行圖型描繪(patterning)，以形成光阻圖型之步驟，其中，(A)成份為，使用具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基之結構單位的樹脂成份，顯影液為使用含有極性有機溶劑，且實質上不含鹼成份之顯影液之光阻圖型之形成方法。
    公开号:TW201324048A
    申请号:TW101104829
    申请日:2012-02-14
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Tomoyuki Hirano；Daiju Shiono
    申请人:Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd；
    IPC主号:G03F7-00
    专利说明:
    光阻圖型之形成方法
    本發明為有關，使用含有有機溶劑之顯影液的正型顯影之光阻圖型之形成方法。
    本案為以2011年2月14日於日本申請之特願2011-028986號為基礎主張優先權，其內容係援用於本發明中。
    於基板上形成微細圖型，在將其作為遮罩進行蝕刻，以對該圖型之下層進行加工之技術(圖型之形成技術)，多被廣泛使用於半導體元件或液晶顯示元件之製造之中。微細圖型，通常由有機材料所形成，例如微影蝕刻法或奈米植入法等技術而形成。例如微影蝕刻法中，為於基板等支撐體上，使用包含樹脂等基材成份的光阻材料形成光阻膜，對該光阻膜，以光、電子線等輻射線進行選擇性曝光，經施以顯影處理，於前述光阻膜上形成特定形狀之光阻圖型之步驟進行。隨後，將上述光阻圖型作為遮罩，經由蝕刻基板等加工步驟，而製得半導體元件等。
    前述光阻材料分為正型與負型，曝光部份增大對顯影液之溶解性的光阻材料稱為正型、曝光部份降低對顯影液之溶解性的光阻材料稱為負型。
    前述顯影液，通常為使用氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液等鹼水溶液(鹼顯影液)。又，芳香族系溶劑、脂肪族烴系溶劑、醚系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醯胺系溶劑、醇系溶劑等之有機溶劑也可以作為顯影液使用(例如參考專利文獻1)。
    近年來，伴隨微影蝕刻技術之進步而使圖型急速地邁向微細化。
    微細化之方法，一般為將曝光光源予以短波長化(高能量化)之方式進行。具體而言，例如以往一般為使用以g線、i線為代表之紫外線，現在則已使用KrF準分子雷射，或ArF準分子雷射而開始半導體元件之量產。又，也開始對較該些準分子雷射為更短波長(高能量)之EB(電子線)、EUV(超紫外線)或X射線等進行研究。
    伴隨曝光光源之短波長化，光阻材料中，則尋求可提高對曝光光源之感度、提高可重現微細尺寸之圖型的解析性等微影蝕刻特性。而可滿足該些要求之光阻材料，已知例如有化學增幅型光阻。
    化學增幅型光阻，一般而言，為使用含有經由酸之作用而對顯影液之溶解性產生變化之基材成份，與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份的組成物。例如顯影液為鹼顯影液(鹼顯影製程)之情形，基材成份一般為使用經由酸之作用而增大對鹼顯影液之溶解性者。
    以往，化學增幅型光阻組成物之基材成份，主要為使用樹脂(基礎樹脂)。目前，ArF準分子雷射微影蝕刻等中所使用之化學增幅型光阻組成物之基礎樹脂，就於193nm附近具有優良透明性等觀點，一般為使用主鏈具有(甲基)丙烯酸(meta acrylic acid)酯所衍生之結構單位的樹脂(丙烯酸系樹脂)為主流。
    其中，「(甲基)丙烯酸(meta acrylic acid)」係指，α位鍵結氫原子之丙烯酸，與α位鍵結甲基之甲基丙烯酸之一或二者之意。「(甲基)丙烯酸(meta acrylic acid)酯」係指，α位鍵結氫原子之丙烯酸酯，與α位鍵結甲基之甲基丙烯酸酯之一或二者之意。「(甲基)丙烯酸酯((meta)acrylate)」係指，α位鍵結氫原子之丙烯酸酯，與α位鍵結甲基之甲基丙烯酸酯之一或二者之意。
    該基礎樹脂，一般而言，為提高微影蝕刻特性等目的，多含有複數之結構單位。例如，一般為使用具有經由酸產生劑所產生之酸的作用而分解，生成鹼可溶性基之具有酸分解性基之結構單位的同時，具有內酯結構之結構單位、具有羥基等極性基之結構單位等(例如參考專利文獻2)。基礎樹脂為丙烯酸系樹脂之情形，前述酸分解性基，一般而言為使用(甲基)丙烯酸(meta acrylic acid)等中之羧基被三級烷基、縮醛基等酸解離性基所保護之基。
    使解析性再向上提高之方法之一為，於曝光機之對物透鏡與試料之間，介由較空氣為更高折射率的液體(浸潤式介質)下進行曝光(浸潤式曝光)之微影蝕刻法，即已知之所謂浸潤式微影蝕刻(Liquid Immersion Lithography。以下，亦稱為浸潤式曝光)(例如非專利文獻1)。
    依浸潤式曝光之方法，即使使用相同曝光波長之光源下，也可達成與使用更短波長之光源的情形，或使用高NA透鏡之情形為相同之高解析性、此外也不會降低焦點景深之寬度。又，浸潤式曝光，可應用現有之曝光裝置下進行。因此，浸潤式曝光推測可以實現低費用、高解析性，且具有優良焦點景深，寬度之光阻圖型之形成，於必須進行大規模設備投資之半導體元件之製造中，於費用上、解析度等之微影蝕刻特性上，就可提供半導體產業許多效果等觀點，而受到極大之注目。
    浸潤式曝光，即對於圖型形狀之形成為有效者，其更可能與目前研究中之相位位移法、變形照明法等之超解析技術進行組合。目前，浸潤式曝光技術中，主要以ArF準分子雷射作為光源之技術受到廣泛地研究。又，目前，浸潤式介質主要為對水進行研究。
    最近提案之微影蝕刻技術之一，為進行2次圖型描繪(patterning)以形成光阻圖型之重複圖型描繪製程(例如非專利文獻2、3)。重複圖型描繪製程中，具有數種方法，例如，(1)微影蝕刻步驟(由塗佈光阻組成物至曝光、顯影為止)及重複進行2次以上蝕刻步驟以形成圖型之方法、(2)重複進行2次以上持續微影蝕刻步驟之方法等。依重複圖型描繪製程，即使使用相同曝光波長之光源下，又，即使使用相同之光阻組成物下，也可形成較使用1次微影蝕刻步驟所形成之情形(單次圖型描繪)為更高解析性之光阻圖型。又，重複圖型描繪製程，可使用現有之曝光裝置進行。
    又，亦有提出於形成光阻膜之後，對該光阻膜進行2次以上之曝光、顯影，以形成光阻圖型之雙重曝光法之提案。依此雙重曝光法，可與上述重複圖型描繪製程之相同般，可形成高解析性之光阻圖型，又，具有相較於重複圖型描繪為更少步驟數之優點。
    正型之化學增幅型光阻組成物，即於經由曝光而增大鹼對顯影液之溶解性的化學增幅型光阻組成物，與鹼顯影液之組合的正型顯影製程中，如上所述般，光阻膜之曝光部受到鹼顯影液而溶解、去除，進行形成光阻圖型。正型之化學增幅型光阻組成物與鹼顯影液之組合所得之正型顯影製程，與負型之化學增幅型光阻組成物與鹼顯影液之組合所得之負型顯影製程相比較時，可使光遮罩之結構單純化，於成像時容易得到充分之反差，所形成之圖型具有優良特性等之優點。因此，目前，於微細之光阻圖型形成中，多傾向使用正型之化學增幅型光阻組成物與鹼顯影液組合所得之正型顯影製程。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
    〔專利文獻1〕特開平06-194847號公報
    〔專利文獻2〕特開2003-241385號公報 〔非專利文獻〕
    〔非專利文獻1〕Proceedings of SPIE，第5754卷，第119-128頁(2005年)
    〔非專利文獻2〕Proceedings of SPIE，第5256卷，第985~994頁(2003年)
    〔非專利文獻3〕Proceedings of SPIE，第6153卷，第615301-1~19頁(2006年)
    但是，今後，伴隨微影蝕刻技術更為進步，推想應用領域將更為擴大等情形，正型之化學增幅型光阻組成物與鹼顯影液組合之正型顯影製程中，亦尋求各種微影蝕刻特性之改善。例如伴隨解析性之提升、曝光光源之短波長化(高能量化)等，皆需以提高感度為基礎，故多尋求可降低所形成之圖型的上面或側壁的表面粗糙(「粗糙度」)為目的。「粗糙度」為造成光阻圖型不良形狀之原因，故圖型尺寸越小時，其改善將變得更為重要。例如圖型側壁表面之「粗糙度」，為造成線路與空間圖型中，以線路寬度不均勻、孔穴圖型中，以孔穴周圍變形等為代表之不良形狀的原因。該些不良形狀，會有於微細半導體元件形成中造成不良影響之疑慮。
    又，以往使用氫氧化四甲基銨(TMAH)水溶液等之鹼水溶液作為顯影液使用之正型顯影製程中，伴隨圖型之微細化，也容易產生因水的影響而使光阻圖型容易產生膨潤或倒塌等問題。
    本發明即為鑑於上述情事所提出者，而以提供一種於正型顯影製程，可以良好之微影蝕刻特性下，安定地形成微細之光阻圖型的光阻圖型之形成方法為目的。
    本發明者們，經過深入研究結果，發現於正型顯影製程中，顯影液使用含有極性有機溶劑之顯影液時，即可解決上述問題，因而完成本發明。
    即，本發明之光阻圖型之形成方法為，包含使用含有經由酸之作用而增大對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)，與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)所得之光阻組成物，於支撐體形成光阻膜之步驟、使前述光阻膜曝光之步驟，及對前述光阻膜，使用前述使用含有有機溶劑之顯影液以正型顯影方式進行圖型描繪(patterning)以形成光阻圖型之步驟的光阻圖型之形成方法，其中，前述基材成份(A)為使用具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位(a1)的樹脂成份(A1)，前述顯影液為使用含有極性有機溶劑，且實質上不含鹼成份之顯影液。
    本說明書及本申請專利範圍中，「脂肪族」係指相對於芳香族之概念，定義為不具有芳香族性之基、化合物等之意。
    「烷基」，於無特別限定下，為包含直鏈狀、支鏈狀及環狀之1價之飽和烴基。烷氧基中之烷基亦為相同之內容。
    「伸烷基」，於無特別限定下，為包含直鏈狀、支鏈狀及環狀之2價之飽和烴基。
    「鹵化烷基」為烷基之氫原子的一部份或全部被鹵素原子所取代之基，「鹵化伸烷基」為，伸烷基之氫原子的一部份或全部被鹵素原子所取代之基，該鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
    「羥烷基」為，烷基之氫原子的一部份或全部被羥基所取代之基。
    「結構單位」係指，構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)之單體單位(monomer unit)之意。
    「曝光」為包含輻射線之全般照射之概念。
    依本發明之內容，為提供一種於正型顯影製程中，可以良好之微影蝕刻特性下，安定地形成微細之光阻圖型的光阻圖型之形成方法。 〔發明之實施形態〕 ≪光阻圖型之形成方法≫
    本發明之光阻圖型之形成方法為，包含使用含有經由酸之作用而增大對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)，與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)所得之光阻組成物，於支撐體形成光阻膜之步驟、使前述光阻膜曝光之步驟，及對前述光阻膜，使用前述使用含有有機溶劑之顯影液以正型顯影方式進行圖型描繪(patterning)以形成光阻圖型之步驟。
    該光阻圖型之形成方法中，前述基材成份(A)為使用具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位(a1)的樹脂成份(A1)，前述顯影液為使用含有極性有機溶劑，且實質上不含鹼成份之顯影液為特徵。
    前述光阻組成物，於照射輻射線(曝光)時，經由酸產生劑成份(B)產生酸，該經由酸之作用而增大基材成份(A)對有機溶劑之溶解性。因此，該光阻圖型之形成方法中，對使用該光阻組成物所得之光阻膜進行選擇性曝光時，該光阻膜中之曝光部，於增大對含有前述有機溶劑之顯影液(以下，亦稱為「有機系顯影液」)的溶解性的同時，未曝光部對有機系顯影液而言，溶解性仍為未變化之情形，使用該有機系顯影液進行正型顯影時，可去除曝光部而形成光阻圖型。該光阻組成物之內容將於後說明。
    本發明之光阻圖型之形成方法，更具體而言，例如可以下述方式進行。
    首先，將前述光阻組成物使用旋轉塗佈器等塗佈於支撐體上之後，於例如80~150℃之溫度條件下，施以40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘之燒焙(Post Apply Bake(PAB))處理，以形成光阻膜。隨後，對該光阻膜，例如使用ArF曝光裝置、電子線描繪裝置、EUV曝光裝置等之曝光裝置，介由形成特定圖型之遮罩(遮罩圖型)進行曝光，或不介由遮罩圖型而使用電子線直接照射進行描繪等方式進行選擇性曝光後，例如於80~150℃之溫度條件下施以40~120秒鐘，較佳為60~90秒鐘之燒焙(Post Exposure Bake(PEB))處理。使用有機系顯影液對該光阻膜進行顯影處理後，較佳為使用含有有機溶劑之洗滌液進行洗滌處理，進行乾燥。
    前述顯影處理或洗滌處理之後，可使用超臨界流體去除附著於圖型上之顯影液或洗滌液等處理亦可。
    又，依情況之差異，於顯影處理、洗滌處理或超臨界流體處理之後，為去除殘留之有機溶劑時，可進行燒焙(Post Bake)處理亦可。
    支撐體，並未有特別限定，其可使用以往公知之物質，例如，電子構件用之基板或，於其上形成特定配線圖型者等例示。更具體而言，例如矽晶圓、銅、鉻、鐵、鋁等之金屬製之基板或，玻璃基板等。配線圖型之材料，例如可使用銅、鋁、鎳、金等。
    又，支撐體，例如於上述之基板上，設有無機系及/或有機系之膜者。無機系之膜例如，無機抗反射膜(無機BARC)等。有機系之膜例如，有機抗反射膜(有機BARC)或多層光阻法中之下層有機膜等之有機膜等。
    其中，多層光阻法係指，於基板上，設置至少一層之有機膜(下層有機膜)，與至少一層之光阻膜(上層光阻膜)，並以形成於上層光阻膜上之光阻圖型作為遮罩，以對下層有機膜進行圖型描繪(patterning)之方法，而形成高長徑比之圖型。即，多層光阻法，因可使用下層有機膜確保所需要之厚度，故可使光阻膜薄膜化，形成高長徑比之微細圖型。
    多層光阻法中，基本而言，可大致區分為具有上層光阻膜，與下層有機膜之二層結構之方法(2層光阻法)，與於上層光阻膜與下層有機膜之間設有一層以上之中間層(金屬薄膜等)的三層以上之多層結構的方法(3層光阻法)。
    曝光所使用之波長，並未有特別限定，其可使用ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、F2準分子雷射、EUV(超紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X射線、軟X射線等之輻射線進行。前述光阻組成物，對於KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EB或EUV用等具有高度有用性，對於ArF準分子雷射、EB或EUV用等特別有用。
    光阻膜之曝光方法，可為於空氣或氮氣等惰性氣體中進行之一般曝光(乾式曝光)，浸潤式曝光(Liquid Immersion Lithography)亦可。
    浸潤式曝光為，預先於光阻膜與曝光裝置之最低位置的透鏡間，充滿具有折射率較空氣之折射率為大之的溶劑(浸潤式介質)，於該狀態下進行曝光(浸潤式曝光)之曝光方法。
    浸潤式介質，以具有折射率較空氣之折射率為大，且較曝光之光阻膜所有之折射率為小之折射率的溶劑為佳。該溶劑之折射率，於前述範圍內時，並未有特別限制。
    具有折射率較空氣之折射率為大，且較前述光阻膜之折射率為小之折射率的溶劑，例如，水、氟系惰性液體、矽系溶劑、烴系溶劑等。
    氟系惰性液體之具體例如，C3HCl2F5、C4F9OCH3、C4F9OC2H5、C5H3F7等之氟系化合物為主成份之液體等，其沸點以70~180℃者為佳，以80~160℃者為更佳。氟系惰性液體具有上述範圍之沸點時，於曝光結束後，可以簡便之方法去除浸潤式所使用之介質，而為較佳。
    氟系惰性液體，特別是以烷基之全部氫原子被氟原子所取代之全氟烷基化合物為佳。全氟烷基化合物，具體而言，例如全氟烷基醚化合物或全氟烷基胺化合物等。
    此外，具體而言，前述全氟烷基醚化合物可例如全氟(2-丁基-四氫呋喃)(沸點102℃)，前述全氟烷基胺化合物，例如全氟三丁胺(沸點174℃)。
    浸潤式介質，就費用、安全性、環境問題、廣泛使用性等觀點，以水為較適合使用者。
    本發明中，顯影處理，可使用含有極性有機溶劑，實質上不含鹼成份之有機系顯影液進行。
    本發明中，「實質上不含鹼成份」係指，作為溶解基材成份(A)之顯影液的鹼成份之濃度，相對於有機系顯影液之全量，其上限值較佳為100ppm以下之意。上限值，更佳為10ppm以下，最佳為1.0ppm以下。相對於有機系顯影液之全量，鹼成份之濃度，亦可以0ppm作為下限值。又，亦可不含作為溶解基材成份(A)之顯影液的鹼成份。鹼成份，例如鹼顯影液所含有之成份等，例如氫氧化四甲基銨(TMAH)、氫氧化四丁基銨(TBAH)等。
    極性有機溶劑，例如醇系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醯胺系溶劑、醚系溶劑、腈(Nitrile)系溶劑等，其中就容易得到高解析度等觀點，以醇系溶劑為特佳。
    醇系溶劑為，結構中含有醇性羥基之有機溶劑之意，「醇性羥基」為，鍵結於脂肪族烴基之碳原子的羥基之意。
    醇系溶劑，例如，甲醇、乙醇、n-丙醇、異丙醇、n-丁醇、sec-丁醇、tert-丁醇、異丁醇、n-己醇、n-庚醇、n-辛醇、n-癸醇、3-甲氧基-1-丁醇等之1元醇；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等之甘醇系溶劑；乙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚單甲基醚、二乙二醇單甲基醚、三乙二醇單乙基醚、甲氧基甲基丁醇、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丙基醚、乙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚單乙基醚、丙二醇單甲基醚單丙基醚、丙二醇單甲基醚單丁基醚、丙二醇單甲基醚單苯基醚等之含有羥基之甘醇醚系溶劑等。
    該些之中，又以1元醇為佳，以碳數1~5之1元醇為更佳，以甲醇、乙醇、異丙醇為特佳。
    有機系顯影液所含有之極性有機溶劑，可單獨使用1種，或將2種以上組合使用亦可。
    有機系顯影液所含有之極性有機溶劑的含量，相對於有機系顯影液之總量，以50質量%以上為佳，以80質量%以上為更佳，以100質量%，即，有機系顯影液全部為由極性有機溶劑所形成者，就使本發明之效果更優良等觀點，而為特佳。其中又以有機系顯影液為由醇系溶劑所形成者為佳。
    有機系顯影液，可含有極性有機溶劑以外之成份。極性有機溶劑以外之成份，例如烴系溶劑等之非極性有機溶劑、水、界面活性劑等。
    烴系溶劑，例如，戊烷、己烷、辛烷、癸烷、2,2,4-三甲基戊烷、2,2,3-三甲基己烷、全氟己烷、全氟庚烷等之脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯、乙基苯、丙基苯、1-甲基丙基苯、2-甲基丙基苯、二甲基苯、二乙基苯、乙基甲基苯、三甲基苯、乙基二甲基苯、二丙基苯等之芳香族烴系溶劑等。該些之中，又以芳香族烴系溶劑為佳。
    有機系顯影液所可含有之界面活性劑，並沒有特別限定，例如可為離子性或非離子性之氟系及/或矽系界面活性劑等。
    可使用之市售界面活性劑，例如F-Top EF301、EF303、(新秋田化成(股)製)、Fluorad FC430、431(住友3M(股)製)、Megafac F171、F173、F176、F189、R08(DIC(股)製)、Surflon S-382、SC101、102、103、104、105、106(旭硝子(股)製)、Troy-Sol S-366(TROY化學(股)製)等之氟系界面活性劑或矽系界面活性劑等。又，聚矽氧聚合物KP-341(信越化學工業(股)製)亦可作為矽系界面活性劑使用。
    又，界面活性劑，除上述所示公知之成份以外，亦可使用利用具有由短鏈聚合反應法(亦稱為「小聚合物反應法」)或低聚合反應法(亦稱為低聚物法)所製造之氟基脂肪族化合物所衍生之氟基脂肪族基的聚合物之界面活性劑。氟基脂肪族化合物，例如可依特開2002-90991號公報所記載之方法予以合成。
    具有氟基脂肪族基之聚合物，例如，以具有氟基脂肪族基之單體與(聚(氧伸烷基))丙烯酸酯及/或(聚(氧伸烷基))甲基丙烯酸酯之共聚物為佳，不規則分布之聚合物中，亦可為嵌段共聚者亦可。又，聚(氧伸烷基)基，例如聚(氧乙烯基)基、聚(氧丙烯基)基、聚(氧丁烯基)基等，又，聚(氧乙烯基與氧丙烯基與氧乙烯基之嵌段鍵結體)或聚(氧乙烯基與氧丙烯基之嵌段鍵結體)基等相同鏈長內，具有不同鏈長之伸烷基的單位亦可。此外，具有氟基脂肪族基之單體與(聚(氧伸烷基))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)之共聚物不僅僅為2元共聚物，亦可由具有2種以上相異之具有氟基脂肪族基之單體，或具有2種以上之不同的(聚(氧伸烷基))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)等同時共聚所形成之3元系以上之共聚物亦可。
    例如，市售之界面活性劑，如Megafac F178、F-470、F-473、F-475、F-476、F-472(DIC(股)製)等。此外，具有C6F13基之丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)與(聚(氧伸烷基))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)之共聚物、具有C6F13基之丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)與(聚(氧基乙烯))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)與(聚(氧丙烯基))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)之共聚物、具有C8F17基之丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)與(聚(氧伸烷基))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)之共聚物、具有C8F17基之丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)與(聚(氧基乙烯))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)與(聚(氧丙烯基))丙烯酸酯(或甲基丙烯酸酯)之共聚物等。
    界面活性劑，以非離子性之界面活性劑為佳，以氟系界面活性劑或矽系界面活性劑為更佳。
    添加界面活性劑之情形，其添加量相對於有機系顯影液之全量，通常為0.001~5質量%，又以0.005~2質量%為佳，以0.01~0.5質量%為更佳。
    使用有機系顯影液之顯影處理，可使用公知之顯影方法予以實施，該顯影方法，例如使支撐體浸漬於顯影液中維持一定時間之方法(DIP法)、使顯影液經由表面張力覆蓋於支撐體表面，並靜止一定時間之方法(PADDLE法)、將顯影液噴霧於支撐體表面之方法(噴灑法)、使以一定速度吐出顯影液之噴嘴於掃瞄中將顯影液吐出於一定速度迴轉中之支撐體之方法(DYNAMICDISPENSE法)等。
    上述顯影處理之後，進行乾燥前，以使用含有有機溶劑之洗滌液進行洗滌處理為佳。經此方式，可形成良好之圖型。
    洗滌液所使用之有機溶劑，可由不易溶解光阻圖型之溶劑中，適當地選擇使用。通常可使用由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑、醯胺系溶劑及醚系溶劑中所選出之至少1種之溶劑。該些之中，又以由烴系溶劑、酮系溶劑、酯系溶劑、醇系溶劑及醯胺系溶劑所選出之至少1種為佳，以由醇系溶劑及酯系溶劑所選出之至少1種為更佳，以醇系溶劑為特佳。
    該些有機溶劑，任一種皆可單獨使用，或將2種以上混合使用亦可。又，亦可與上述以外之有機溶劑或水混合後使用。但於考慮顯影特性時，洗滌液中之水之添加量，相對於洗滌液之全量，以30質量%以下為佳，以10質量%以下為較佳，以5質量%以下為更佳，以3質量%以下為特佳。 (光阻組成物)
    本發明之光阻圖型之形成方法中，為使用含有經由酸之作用而增大對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)(以下亦稱為「(A)成份」)，與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)(以下亦稱為「(B)成份」)之光阻組成物。 <(A)成份>
    本發明中，「基材成份」係指，具有膜形成能之有機化合物之意。
    基材成份，通常為使用分子量為500以上之有機化合物。分子量為500以上時，於具有充分之膜形成能的同時，且容易形成奈米程度之光阻圖型。
    「分子量為500以上之有機化合物」，可大致區分為非聚合物與聚合物。
    非聚合物，通常為使用分子量為500以上、未達4000之化合物。以下，稱為「低分子化合物」之情形中，係指分子量為500以上、未達4000之非聚合物。
    聚合物，通常為使用分子量為1000以上之高分子化合物。本說明書及申請專利範圍中之「高分子化合物」，係表示分子量為1000以上之聚合物，高分子化合物亦可稱為「樹脂」。
    高分子化合物之情形，「分子量」為使用GPC(凝膠滲透色層分析法)之聚苯乙烯換算之質量平均分子量所得者。 〔樹脂成份(A1)〕
    本發明之光阻圖型之形成方法中，(A)成份為含有，具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位(a1)之樹脂成份(A1)(以下亦稱為「(A1)成份」)。
    (A1)成份，除結構單位(a1)以外，以再具有由α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含內酯之環式基的結構單位(a2)，及α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含-SO2-之環式基的結構單位(a0)所成群所選出之至少一種的結構單位為佳。
    (A1)成份，除結構單位(a1)以外，或，除結構單位(a1)，與結構單位(a2)及/或結構單位(a0)以外，以再具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位(a3)為佳。
    其中，本說明書及申請專利範圍中，「丙烯酸酯所衍生之結構單位」為表示丙烯酸酯的乙烯性雙重鍵結經開裂所構成之結構單位之意。
    「丙烯酸酯」為，丙烯酸(CH2=CH-COOH)的羧基末端之氫原子被有機基取代所得之化合物。
    丙烯酸酯中，α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代。可取代該α位之碳原子所鍵結之氫原子的取代基，為氫原子以外之原子或基，例如碳數1~5之烷基、碳數1~5之鹵化烷基、羥烷基等。又，丙烯酸酯之α位之碳原子，於無特別限定下，係指羰基所鍵結之碳原子。
    以下，α位之碳原子所鍵結之氫原子被取代基所取代之丙烯酸酯亦稱為α取代丙烯酸酯。又，包括丙烯酸酯與α取代丙烯酸酯時，亦可稱為(α取代)丙烯酸酯。
    α取代丙烯酸酯中，α位之取代基之烷基，以直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。
    又，α位之取代基之鹵化烷基，具體而言，例如上述「α位之取代基之烷基」之氫原子的一部份或全部被鹵素原子所取代之基等。該鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。
    α取代丙烯酸酯之α位所鍵結者，以氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基為佳，氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基為更佳，就工業上取得之容易性而言，以氫原子或甲基為最佳。 (結構單位(a1))
    結構單位(a1)中，α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位，且為含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位。
    「酸分解性基」為，受到經由曝光而由(B)成份產生之酸的作用，該酸分解性基之結構中之至少一部份鍵結經開裂而具有酸分解性之基。
    經由酸之作用而增大極性之酸分解性基，例如，經由酸的作用而分解生成極性基之基等。
    極性基例如，羧基、羥基、胺基、磺基(-SO3H)等。該些之中，又以結構中含有-OH之極性基(以下亦稱為「含OH之極性基」)為佳，羧基或羥基為更佳，以羧基為特佳。
    酸分解性基，更具體而言，前述極性基被酸解離性基所保護之基(例如含OH之極性基之氫原子被酸解離性基所保護之基)等。
    「酸解離性基」為，受到經由曝光而由(B)成份產生之酸的作用，至少使該酸解離性基與該酸解離性基所鄰接之原子之間的鍵結經開裂而得之具有酸解離性之基。構成酸分解性基之酸解離性基，必須為較該酸解離性基解離所生成之極性基具有更低極性之基，如此，受到酸之作用而使該酸解離性基解離之際，會產生較該酸解離性基具有更高極性之極性基，而使極性增大。其結果得知，確認可增大(A1)成份全體之極性。而使極性增大結果，本發明中，會相對地增加對於含有極性有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)的溶解性。
    酸解離性基，並未有特別限定，其可使用目前為止被提案作為化學增幅型光阻用之基礎樹脂的酸解離性基的基。一般而言，(甲基)丙烯酸等中可與羧基形成環狀或鏈狀之三級烷基酯之基；烷氧基烷基等之縮醛型酸解離性基等為廣為已知者。
    其中，「三級烷基酯」係指，羧基之氫原子被鏈狀或環狀之烷基所取代而形成酯，該羰氧基(-C(=O)-O-)之末端的氧原子，與前述鏈狀或環狀之烷基之三級碳原子鍵結所得之結構。該三級烷基酯中，於酸產生作用時，可使氧原子與三級碳原子之間的鍵結被切斷，而形成羧基。
    前述鏈狀或環狀之烷基，可具有取代基。
    以下，經由具有羧基與三級烷基酯之構成，而形成酸解離性之基，於方便上，將其稱為「三級烷基酯型酸解離性基」。
    三級烷基酯型酸解離性基例如，脂肪族支鏈狀酸解離性基、含有脂肪族環式基之酸解離性基等。
    其中，「脂肪族支鏈狀」係指，具有非芳香族性之支鏈狀結構之意。「脂肪族支鏈狀酸解離性基」之結構，只要為由碳及氫所形成之基(烴基)時，並未有任何限定，又以烴基為佳。又，「烴基」可為飽和或不飽和之任一者皆可，通常以飽和者為佳。
    脂肪族支鏈狀酸解離性基，例如，-C(R71)(R72)(R73)所表示之基等。式中，R71~R73為，各自獨立之碳數1~5的直鏈狀之烷基。-C(R71)(R72)(R73)所表示之基，碳數以4~8為佳，具體而言，例如tert-丁基、2-甲基-2-丁基、2-甲基-2-戊基、3-甲基-3-戊基等。
    特別是以tert-丁基為佳。
    「脂肪族環式基」，表示不具有芳香族性之單環式基或多環式基。
    「含有脂肪族環式基之酸解離性基」中之脂肪族環式基，可具有取代基，或不具有取代基皆可。取代基例如，碳數1~5之烷基、碳數1~5之烷氧基、氟原子、氟原子所取代之碳數1~5之氟化烷基、氧原子(=O)等。
    該脂肪族環式基去除取代基後之基本的環之結構，只要為由碳及氫所形成之基(烴基)時，並未有任何限定，又以烴基為佳。又，該烴基可為飽和或不飽和之任一者皆可，通常以飽和者為佳。
    脂肪族環式基，可為單環式亦可，多環式亦可。
    脂肪族環式基，例如，碳數1~5之烷基、可被氟原子或氟化烷基取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基；由二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。更具體而言，例如環戊烷、環己烷等之單環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基；金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等之脂環式烴基等。又，構成該些脂環式烴基的環的一部份的碳原子可被醚基(-O-)所取代者亦可。
    含有脂肪族環式基之酸解離性基，例如，(i)1價之脂肪族環式基的環骨架上、與該酸解離性基鄰接之原子(例如-C(=O)-O-中之-O-)鍵結之碳原子上鍵結取代基(氫原子以外之原子或基)而形成三級碳原子之基；(ii)具有1價之脂肪族環式基，及，與其鍵結之具有三級碳原子之支鏈狀伸烷基之基等。
    前述(i)之基中，脂肪族環式基的環骨架上、與該酸解離性基鄰接之原子上鍵結之碳原子上所鍵結之取代基，例如烷基等。該烷基例如與後述之式(1-1)~(1-9)中之R14為相同之內容。
    前述(i)之基之具體例，例如下述通式(1-1)~(1-9)所表示之基等。
    前述(ii)之基之具體例，例如下述通式(2-1)~(2-6)所表示之基等。
    〔式中，R14為烷基，g為0~8之整數〕
    〔式中，R15及R16為各自獨立之烷基〕
    式(1-1)~(1-9)中，R14之烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者皆可，又以直鏈狀或支鏈狀為佳。
    該直鏈狀之烷基，碳數以1~5為佳，以1~4為更佳，以1或2為最佳。具體而言，例如甲基、乙基、n-丙基、n-丁基、n-戊基等。該些之中，又以甲基、乙基或n-丁基為佳，以甲基或乙基為更佳。
    該支鏈狀之烷基，碳數以3~10為佳，以3~5為更佳。具體而言，例如異丙基、異丁基、tert-丁基、異戊基、新戊基等，又以異丙基為最佳。
    g以0~3之整數為佳，以1~3之整數為更佳，以1或2為最佳。
    式(2-1)~(2-6)中，R15~R16之烷基，與前述R14之烷基為相同之內容。
    上述式(1-1)~(1-9)、(2-1)~(2-6)中，構成環之碳原子的一部份可被醚性氧原子(-O-)所取代。
    又，式(1-1)~(1-9)、(2-1)~(2-6)中，構成環之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代。該取代基例如，碳數1~5之烷基、氟原子、氟化烷基等。
    「縮醛型酸解離性基」，一般而言，取代羧基、羥基等含OH之極性基末端的氫原子，而與氧原子鍵結。隨後，經由曝光產生酸時，經由該酸之作用，而切斷縮醛型酸解離性基與該縮醛型酸解離性基所鍵結之氧原子之間的鍵結，而形成羧基、羥基等含OH之極性基。
    縮醛型酸解離性基，例如，下述通式(p1)所表示之基(酸解離性基(p1))等。
    〔式中，R1’，R2’表示各自獨立之氫原子或碳數1~5之烷基、n表示0~3之整數，Y表示碳數1~5之烷基或脂肪族環式基〕
    式(p1)中，n以0~2之整數為佳，以0或1為更佳，以0為最佳。
    R1’，R2’之烷基，例如與上述α取代丙烯酸酯中之說明內容，可鍵結於α位之碳原子的取代基所列舉之烷基為相同之內容等，以甲基或乙基為佳，以甲基為最佳。
    本發明中，R1’，R2’中之至少1個為氫原子為佳。即，酸解離性基(p1)，以下述通式(p1-1)所表示之基為佳。
    〔式中，R1’、n、Y與上述為相同之內容〕
    Y之烷基，例如與上述α取代丙烯酸酯中之說明內容，可與α位之碳原子鍵結之取代基所列舉之烷基為相同之內容。
    Y之脂肪族環式基，可由以往ArF光阻等之中，被多數提案之單環或多環式的脂肪族環式基之中適當地選擇使用，例如與上述「含有脂肪族環式基之酸解離性基」中所列舉之脂肪族環式基為相同之內容。
    縮醛型酸解離性基，又例如下述通式(p2)所示之基。
    〔式中，R17、R18為各自獨立之直鏈狀或支鏈狀之烷基或氫原子；R19為直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基。或，R17及R19為各自獨立之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，R17之末端與R19之末端可鍵結形成環〕
    R17、R18中，烷基之碳數較佳為1~15，其可為直鏈狀、支鏈狀之任一者，乙基、甲基為佳，以甲基為最佳。
    特別是R17、R18之一者為氫原子，另一者為甲基為佳。
    R19為直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基，碳數較佳為1~15，其可為直鏈狀、支鏈狀或環狀之任一者。
    R19為直鏈狀、支鏈狀之情形，以碳數1~5為佳，以乙基、甲基為更佳，乙基為最佳。
    R19為環狀之情形，以碳數4~15為佳，以碳數4~12為更佳，以碳數5~10為最佳。具體而言，例如可被氟原子或氟化烷基取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等例示。具體而言，例如環戊烷、環己烷等之單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。其中又以由金剛烷去除1個以上之氫原子所得之基為佳。
    又，上述式(p2)中，R17及R19各自獨立為直鏈狀或支鏈狀之伸烷基(較佳為碳數1~5之伸烷基)，又，R19之末端與R17之末端可形成鍵結。
    此情形中，R17與，R19與，R19鍵結之氧原子與，與該氧原子及R17鍵結之碳原子可形成環式基。該環式基，以4~7員環為佳，以4~6員環為更佳。該環式基之具體例如，四氫吡喃基、四氫呋喃基等。
    結構單位(a1)，具體而言，下述通式(a1-0-1)所表示之結構單位、下述通式(a1-0-2)所表示之結構單位等。
    〔式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基；X1為酸解離性基；Y2為2價之鍵結基；X2為酸解離性基〕
    通式(a1-0-1)中，R之烷基、鹵化烷基，分別與上述α取代丙烯酸酯中所說明之可與α位之碳原子鍵結之取代基所列舉之烷基、鹵化烷基為相同之內容。R，以氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基為佳，以氫原子或甲基為最佳。
    X1，只要為酸解離性基時，則沒有特別之限定，例如上述三級烷基酯型酸解離性基、縮醛型酸解離性基等，又以三級烷基酯型酸解離性基為佳。
    通式(a1-0-2)中，R與上述為相同之內容。
    X2，與式(a1-0-1)中之X1為相同之內容。
    Y2之2價之鍵結基，並沒有特別限定，較佳者例如可具有取代基之2價之烴基、含有雜原子之2價之鍵結基等。
    烴基為「具有取代基」，係指該烴基中之氫原子的一部份或全部可被取代基(氫原子以外之基或原子)所取代之意。
    該烴基可為脂肪族烴基亦可，芳香族烴基亦可。
    脂肪族烴基表示不具有芳香族性之烴基之意。
    前述Y2中，作為2價烴基之脂肪族烴基，可為飽和者亦可，不飽和亦可，通常以飽和者為佳。
    該脂肪族烴基，更具體而言，例如直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基、結構中含有環之脂肪族烴基等。
    前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，其碳數以1~10為佳，以1~6為更佳，以1~4為特佳，以1~3為最佳。
    直鏈狀之脂肪族烴基，以直鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如伸甲基〔-CH2-〕、伸乙基〔-(CH2)2-〕、伸三甲基〔-(CH2)3-〕、伸四甲基〔-(CH2)4-〕、伸五甲基〔-(CH2)5-〕等。
    支鏈狀之脂肪族烴基，以支鏈狀之伸烷基為佳，具體而言，例如-CH(CH3)-、-CH(CH2CH3)-、-C(CH3)2-、-C(CH3)(CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH2CH3)-、-C(CH2CH3)2-等之烷基伸甲基；-CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-CH(CH2CH3)CH2-、-C(CH2CH3)2-CH2-等之烷基伸乙基；-CH(CH3)CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2-等之烷基伸三甲基；-CH(CH3)CH2CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2CH2-等之烷基伸四甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，以碳數1~5之直鏈狀之烷基為佳。
    前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，可具有取代基亦可，不具有取代基亦可。該取代基例如，氟原子、氟原子所取代之碳數1~5之氟化烷基、氧原子(=O)等。
    前述結構中含有環之脂肪族烴基，例如，脂環式烴基(由脂肪族烴環去除2個氫原子所得之基)、脂環式烴基鍵結於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基末端之基、脂環式烴基介於直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之中途所得之基等。前述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基，例如與前述為相同之內容。
    前述脂環式烴基，其碳數以3~20為佳，以3~12為更佳。
    前述脂環式烴基，可為多環式亦可，單環式亦可。單環式之脂環式烴基，以由單環鏈烷去除2個氫原子所得之基為佳。該單環鏈烷以碳數3~6者為佳，具體而言，例如環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，以由多環鏈烷去除2個氫原子所得之基為佳，該多環鏈烷以碳數7~12者為佳，具體而言，例如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
    前述脂環式烴基，可具有取代基，或不具有取代基皆可。取代基例如，碳數1~5之烷基、氟原子、氟原子所取代之碳數1~5之氟化烷基、氧原子(=O)等。
    芳香族烴基為具有芳香環之烴基。
    前述Y2中，作為2價之烴基的芳香族烴基，其碳數以3~30為佳，以5~30為較佳，以5~20為更佳，以6~15為特佳，以6~10為最佳。但，該碳數為不包含取代基中之碳數者。
    具有芳香族烴基之芳香環，其具體例如，苯、聯苯、茀、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部份被雜原子所取代之芳香族雜環；等。芳香族雜環中之雜原子，例如氧原子、硫原子、氮原子等。
    該芳香族烴基，具體而言，例如前述芳香族烴環去除2個氫原子所得之基(伸芳基)；前述芳香族烴環去除1個氫原子所得之基(芳基)中之1個氫原子被伸烷基所取代之基(例如，苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等之芳基烷基中之芳基再去除1個氫原子所得之基)；等。前述伸烷基(芳基烷基中之烷基鏈)之碳數，以1~4為佳，以1~2為更佳，以1為特佳。
    前述芳香族烴基，可具有取代基，或不具有取代基皆可。例如該芳香族烴基所具有之芳香族烴環所鍵結之氫原子可被取代基所取代。該取代基，例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)等。
    作為前述取代基之烷基，以碳數1~5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。
    作為前述取代基之烷氧基，以碳數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。
    作為前述芳香族烴基之取代基的鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。
    前述取代基之鹵化烷基例如，前述烷基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。
    「含有雜原子之2價之鍵結基」中之雜原子為碳原子及氫原子以外之原子，例如氧原子、氮原子、硫原子、鹵素原子等。
    含有雜原子之2價之鍵結基，例如-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-(H可被烷基、醯基等之取代基所取代)、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-、-NH-C(=O)-、=N-、通式-Y21-O-Y22-、-〔Y21-C(=O)-O〕m’-Y22-或-Y21-O-C(=O)-Y22-所表示之基〔式中，Y21及Y22為各自獨立之可具有取代基之2價之烴基，O為氧原子，m’為0~3之整數〕等。
    Y2為-NH-之情形，其H可被烷基、醯基等取代基所取代。該取代基(烷基、醯基等)，其碳數以1~10為佳，以1~8為更佳，以1~5為特佳。
    式-Y21-O-Y22-、-〔Y21-C(=O)-O〕m’-Y22-或-Y21-O-C(=O)-Y22-中，Y21及Y22為各自獨立之可具有取代基之2價烴基。該2價之烴基與前述之Y2中之「可具有取代基之2價之烴基」所列舉之內容為相同之內容。
    Y21，以直鏈狀之脂肪族烴基為佳，以直鏈狀之伸烷基為較佳，以碳數1~5之直鏈狀之伸烷基為更佳，以伸甲基或乙烯基為特佳。
    Y22，以直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基為佳，以伸甲基、伸乙基或烷基伸甲基為更佳。該烷基伸甲基中之烷基，以碳數1~5之直鏈狀之烷基為佳，以碳數1~3之直鏈狀之烷基為較佳，以甲基為最佳。
    式-〔Y21-C(=O)-O〕m’-Y22-所表示之基中，m’為0~3之整數，以0~2之整數為佳，以0或1為更佳，以1為特佳。即，式-〔Y21-C(=O)-O〕m’-Y22-所表示之基，以式-Y21-C(=O)-O-Y22-所表示之基為特佳。其中又以式-(CH2)a’-C(=O)-O-(CH2)b’-所表示之基為佳。該式中，a’為1~10之整數，又以1~8之整數為佳，以1~5之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。b’為1~10之整數，又以1~8之整數為佳，以1~5之整數為較佳，以1或2為更佳，以1為最佳。
    含有雜原子之2價之鍵結基，例如具有雜原子為氧原子之直鏈狀之基、例如以含有醚鍵結或酯鍵結之基為佳，以前述式-Y21-O-Y22-、-〔Y21-C(=O)-O〕m’-Y22-或-Y21-O-C(=O)-Y22-所表示之基為更佳。
    上述之中，又以Y2之2價之鍵結基特別是直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基，或含有雜原子之2價之鍵結基為佳。該些之中，又以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或含有雜原子之2價之鍵結基為佳。
    上述之通式(a1-0-1)所表示之結構單位、通式(a1-0-2)所表示之結構單位，更具體而言，例如下述通式(a1-1)~(a1-4)所表示之結構單位等。
    〔式中，R、R1’、R2’、n、Y及Y2分別與前述內容為相同，X’表示三級烷基酯型酸解離性基〕’式中，X’與前述三級烷基酯型酸解離性基為相同之內容。
    R1’、R2’、n、Y，分別與上述之「縮醛型酸解離性基」之說明中所列舉之通式(p1)中之R1’、R2’、n、Y為相同之內容。
    Y2，與上述通式(a1-0-2)中之Y2為相同之內容。
    以下為上述通式(a1-1)~(a1-4)所表示之結構單位之具體例。
    以下各式中，R α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。



    上述之中，又以通式(a1-1)、(a1-2)或(a1-3)所表示之結構單位為佳，具體而言，例如以使用由(a1-1-1)~(a1-1-4)、(a1-1-20)~(a1-1-23)、(a1-1-26)、(a1-1-32)~(a1-1-34)、(a1-2-1)~(a1-2-24)及(a1-3-25)~(a1-3-28)所成群所選出之至少1種為更佳。
    此外，結構單位(a1)，特別是以包括式(a1-1-1)~式(a1-1-3)及(a1-1-26)之結構單位的下述通式(a1-1-01)所表示之單位、包括式(a1-1-16)~(a1-1-17)及式(a1-1-20)~(a1-1-23)之結構單位的下述通式(a1-1-02)所表示之單位、包括式(a1-3-25)~(a1-3-26)之結構單位的下述通式(a1-3-01)所表示之單位，或，包括式(a1-3-27)~(a1-3-28)之結構單位的下述通式(a1-3-02)所表示之單位亦佳。
    [式中，R表示各自獨立之氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，R11表示碳數1~5之烷基。R12表示碳數1~7之烷基。h表示1~6之整數]。
    通式(a1-1-01)中，R與上述為相同之內容。R11之碳數1~5之烷基與R中之碳數1~5之烷基為相同之內容，又以甲基、乙基，或異丙基為佳。
    通式(a1-1-02)中，R與上述為相同之內容。R12之碳數1~5之烷基與R中之碳數1~5之烷基為相同之內容，又以甲基、乙基，或異丙基為佳。h，以1或2為佳，以2為最佳。
    〔式中，R表示氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基；R14為烷基，R13為氫原子或甲基，a為1~10之整數〕
    〔式中，R表示氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基；R14為烷基，R13為氫原子或甲基，a為1~10之整數，n’為1~6之整數〕
    前述通式(a1-3-01)、(a1-3-02)中，R與上述為相同之內容。
    R13以氫原子為佳。
    R14，與前述式(1-1)~(1-9)中之R14為相同之內容。
    n’，以1或2為佳，以2為最佳。
    a，以1~8之整數為佳，以2~5之整數為特佳，以2為最佳。
    結構單位(a1)可單獨使用1種，或將2種以上組合使用亦可。
    (A1)成份中，結構單位(a1)之比例，相對於構成(A1)成份之全結構單位，以5~80莫耳%為佳，以10~80莫耳%為更佳，以15~75莫耳%為最佳。於下限值以上時，作為光阻組成物之際，容易得到圖型，且可提高感度、解析性、LWR、EL等微影蝕刻特性。在上限值以下時，容易得到與其他結構單位之平衡性。 (結構單位(a2))
    結構單位(a2)中，α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含內酯之環式基的結構單位。
    其中，含內酯之環式基係指，含有含-O-C(=O)-結構的一個之環(內酯環)的環式基之意。內酯環作為一個單位之方式計數，僅含有內酯環之情形為單環式基、再含有其他之環結構的情形，無論其結構為何，皆稱為多環式基。
    結構單位(a2)之內酯環式基，於(A1)成份使用於形成光阻膜之情形中，就提高光阻膜對基板之密著性等觀點為有效者。
    結構單位(a2)，並未有特別限定，而可使用任意之基。
    具體而言，含內酯之單環式基，例如4~6員環內酯去除1個氫原子所得之基、例如β-丙內酯去除1個氫原子所得之基、γ-丁內酯去除1個氫原子所得之基、δ-戊內酯去除1個氫原子所得之基等。又，含內酯之多環式基，例如，由具有內酯環之二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷去除1個氫原子所得之基等。
    結構單位(a2)之例，更具體而言，例如下述通式(a2-1)~(a2-5)所表示之結構單位等。
    〔式中，R為氫原子、低級烷基或鹵化低級烷基；R’為各自獨立之氫原子、碳數1~5之烷基、碳數1~5之烷氧基或-COOR”，R”為氫原子或烷基；R29為單鍵或2價之鍵結基，s”為0或1~2之整數；A”為可含有氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子；m為0或1之整數〕
    通式(a2-1)~(a2-5)中之R，與前述結構單位(a1)中之R為相同之內容。
    R’之碳數1~5之烷基，例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等。
    R’之碳數1~5之烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基等。
    R’，於考慮工業上取得之容易性等時，以氫原子為佳。
    R”，以氫原子或碳數1~15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基為佳。
    R”為直鏈狀或支鏈狀之烷基之情形，以碳數1~10為佳，以碳數1~5為更佳。
    R”為環狀之烷基之情形，以碳數3~15為佳，以碳數4~12為更佳，以碳數5~10為最佳。具體而言，例如可被氟原子或氟化烷基取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷；由二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等例示。具體而言，例如環戊烷、環己烷等之單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。
    A”，以碳數1~5之伸烷基或-O-為佳，以碳數1~5之伸烷基為更佳，以伸甲基為最佳。
    R29為單鍵或2價之鍵結基。2價之鍵結基為與前述通式(a1-0-2)中之Y2所說明之2價之鍵結基為相同之內容，該些之中，又以伸烷基、酯鍵結(-C(=O)-O-)，或該些之組合為佳。R29中作為2價之鍵結基的伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為更佳。具體而言，為與前述Y2中之脂肪族烴基所列舉之直鏈狀之伸烷基、支鏈狀之伸烷基為相同之內容。
    s”以1~2之整數為佳。
    以下為分別例示前述通式(a2-1)~(a2-5)所表示之結構單位的具體例。
    以下各式中，R α 表示氫原子、甲基或三氟甲基。


    (A1)成份所含有之結構單位(a2)可為1種或2種以上。
    結構單位(a2)，以使用由前述通式(a2-1)~(a2-5)所表示之結構單位所成群所選出之至少1種為佳，以由通式(a2-1)~(a2-3)所表示之結構單位所成群所選出之至少1種為更佳。其中，又以由化學式(a2-1-1)、(a2-1-2)、(a2-2-1)、(a2-2-7)、(a2-2-12)、(a2-2-14)、(a2-3-1)及(a2-3-5)所表示之結構單位所成群所選出之至少1種為佳。
    (A1)成份中之結構單位(a2)之比例，相對於構成(A1)成份之全結構單位之合計，以5~60莫耳%為佳，以10~50莫耳%為更佳，以10~45莫耳%為最佳。下限值以上時，含有結構單位(a2)時，可得到充分之效果，在上限值以下時，容易得到與其他結構單位之平衡性。 〔結構單位(a0)〕
    結構單位(a0)為，α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含-SO2-之環式基的結構單位。
    結構單位(a0)，於含有含-SO2-之環式基時，可提高使用含有(A1)成份之光阻組成物所形成之光阻膜對基板之密著性。又，可期待其可提高感度、解析性、曝光寬容度(EL Margins)、LWR(線路寬度「粗糙度」)、LER(線路邊端「粗糙度」)、遮罩重現性等之微影蝕刻特性。
    其中，「含-SO2-之環式基」係指，其環骨架中含有含-SO2-之環的環式基，具體而言，為-SO2-中之硫原子(S)形成為環式基的環骨架之一部份的環式基。
    含-SO2-之環式基中，以其環骨架中含有-SO2-之環作為一個單位之方式計數，僅為該環之情形為單環式基，再含有其他之環結構的情形，無論其結構為何，皆稱為多環式基。
    含-SO2-之環式基，可為單環式亦可，多環式亦可。
    含-SO2-之環式基，特別是其環骨架中含有-O-SO2-之環式基，即以-O-SO2-中之-O-S-形成為環式基的環骨架的一部份之磺內酯(sultone)環為佳。
    含-SO2-之環式基，其碳數以3~30為佳，以4~20為較佳，以4~15為更佳，4~12為特佳。但，該碳數為構成環骨架之碳原子之數，為不包含取代基中之碳數者。
    含-SO2-之環式基，可為含-SO2-之脂肪族環式基亦可，含-SO2-之芳香族環式基亦可。較佳為含-SO2-之脂肪族環式基。
    含-SO2-之脂肪族環式基，例如構成其環骨架之碳原子的一部份被-SO2-或-O-SO2-所取代之脂肪族烴環再去除至少1個氫原子所得之基等。更具體而言，構成其環骨架之-CH2-被-SO2-所取代之脂肪族烴環再去除至少1個氫原子所得之基、構成其環的-CH2-CH2-被-O-SO2-所取代之脂肪族烴環再去除至少1個氫原子所得之基等。
    該脂環式烴基，其碳數以3~20為佳，以3~12為更佳。
    該脂環式烴基，可為多環式亦可，單環式亦可。單環式之脂環式烴基，以碳數3~6之單環鏈烷再去除2個氫原子所得之基為佳，該單環鏈烷例如環戊烷、環己烷等例示。多環式之脂環式烴基，以碳數7~12之多環鏈烷去除2個氫原子所得之基為佳，該多環鏈烷，具體而言，例如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
    含-SO2-之環式基，可具有取代基。該取代基，例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)、-COOR”、-OC(=O)R”(R”為氫原子或烷基)、羥烷基、氰基等。
    作為該取代基之烷基，以碳數1~6之烷基為佳。該烷基以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體而言，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基、己基等。該些之中，又以甲基或乙基為佳，以甲基為特佳。
    作為該取代基之烷氧基，以碳數1~6之烷氧基為佳。該烷氧基，以直鏈狀或支鏈狀為佳。具體而言為，作為前述取代基之烷基所列舉之烷基鍵結氧原子(-O-)所得之基等。
    作為該取代基之鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。
    該取代基之鹵化烷基例如，前述烷基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。
    該取代基之鹵化烷基例如，前述取代基之烷基所列舉之烷基中之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。該鹵化烷基以氟化烷基為佳，特別是以全氟烷基為佳。
    前述-COOR”、-OC(=O)R”中之R”，任一者皆為氫原子或碳數1~15之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基為佳。
    R”為直鏈狀或支鏈狀之烷基之情形，以碳數1~10為佳，以碳數1~5為更佳，以甲基或乙基為特佳。
    R”為環狀之烷基之情形，以碳數3~15為佳，以碳數4~12為更佳，以碳數5~10為最佳。具體而言，例如可被氟原子或氟化烷基取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等例示。更具體而言，例如環戊烷、環己烷等之單環鏈烷，或金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。
    作為該取代基之羥烷基，以碳數1~6者為佳，具體而言為，作為前述取代基之烷基所列舉之烷基中之至少1個氫原子被羥基所取代之基等。
    含-SO2-之環式基，更具體而言，例如下述通式(3-1)~(3-4)所表示之基等。
    〔式中，A’為可含有氧原子或硫原子之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子，z為0~2之整數，R6為烷基、烷氧基、鹵化烷基、羥基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基或氰基，R”為氫原子或烷基〕
    前述通式(3-1)~(3-4)中，A’為可含有氧原子(-O-)或硫原子(-S-)之碳數1~5之伸烷基、氧原子或硫原子。
    A’中之碳數1~5之伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳，例如伸甲基、伸乙基、n-伸丙基、異伸丙基等。
    該伸烷基含有氧原子或硫原子之情形，其具體例如，前述伸烷基之末端或碳原子間介有-O-或-S-所得之基等，例如-O-CH2-、-CH2-O-CH2-、-S-CH2-、-CH2-S-CH2-等。
    A’，以碳數1~5之伸烷基或-O-為佳，以碳數1~5之伸烷基為更佳，以伸甲基為最佳。
    z可為0~2之任意數，以0為最佳。
    z為2之情形，複數之R6可分別為相同或相異皆可。
    R6中之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基，分別與前述中，可具有含-SO2-含有環式基所可具有之取代基所列舉之烷基、烷氧基、鹵化烷基、-COOR”、-OC(=O)R”、羥烷基為相同之內容。
    以下為前述通式(3-1)~(3-4)所表示之具體的環式基之例示。又，式中之「Ac」表示乙醯基。

    含-SO2-之環式基，於上述之中，又以前述通式(3-1)、(3-3)或(3-4)所表示之基為佳，以使用由前述化學式(3-1-1)、(3-1-18)、(3-3-1)及(3-4-1)之任一者所表示之基所成群所選出之至少一種為更佳，以前述化學式(3-1-1)所表示之基為最佳。
    結構單位(a0)之例，更具體而言，例如下述通式(a0-0)所表示之結構單位等。
    〔式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，R3為含-SO2-之環式基，R29’為單鍵或2價之鍵結基〕
    式(a0-0)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。
    R之碳數1~5之烷基，以碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基為佳，具體而言，例如甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。
    R中之鹵化烷基，例如前述碳數1~5之烷基之氫原子的一部份或全部被鹵素原子所取代之基。該鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。
    R，以氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基為佳，就工業上取得之容易性而言，以氫原子或甲基為最佳。
    式(a0-0)中，R3與前述所列舉之含有-SO2-環式基為相同之內容。
    R29’，可為單鍵或2價之鍵結基之任一者皆可。就使本發明之效果更優良等觀點，以2價之鍵結基為佳。
    R29’中之2價之鍵結基，與上述結構單位(a1)之說明中所列舉之通式(a1-0-2)中之Y2中之2價之鍵結基所列舉之內容為相同之內容。
    R29’之2價之鍵結基，以伸烷基、2價之脂環式烴基或含有雜原子之2價之鍵結基為佳。該些之中，又以含有伸烷基、酯鍵結(-C(=O)-O-)者為佳。
    該伸烷基以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳。具體而言，為與前述Y2中之脂肪族烴基所列舉之直鏈狀之伸烷基、支鏈狀之伸烷基為相同之內容。
    含有酯鍵結之2價之鍵結基，特別是以通式：-R2-C(=O)-O-〔式中，R2為2價之鍵結基〕所表示之基為佳。即，結構單位(a0)以下述通式(a0-0-1)所表示之結構單位為佳。
    〔式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基，R2為2價之鍵結基，R3為含-SO2-之環式基〕
    R2，並未有特別限定，例如上述通式(a0-0)中之R29’中之2價之鍵結基所列舉之內容為相同之內容。
    R2之2價之鍵結基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基，或含有雜原子之2價之鍵結基為佳。
    該直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基、含有雜原子之2價之鍵結基，例如分別與前述之R29’的較佳例示中所列舉之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、2價之脂環式烴基、含有雜原子之2價之鍵結基為相同之內容。
    上述之中，又以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或含有作為雜原子之氧原子的2價之鍵結基為佳。
    直鏈狀之伸烷基，以伸甲基或乙烯基為佳，以伸甲基為特佳。
    支鏈狀之伸烷基，以烷基伸甲基或烷基伸乙基為佳，-CH(CH3)-、-C(CH3)2-或-C(CH3)2CH2-為特佳。
    含有氧原子之2價之鍵結基，以含有醚鍵結或酯鍵結之2價之鍵結基為佳，前述之式-Y21-O-Y22-、式-〔Y21-C(=O)-O〕m’-Y22-或式-Y21-O-C(=O)-Y22-所表示之基為更佳。Y21、Y22、m’分別與前述為相同之內容。
    其中又以式-Y21-O-C(=O)-Y22-所表示之基為佳，式-(CH2)c-O-C(=O)-(CH2)d-所表示之基為特佳。c為1~5之整數，又以1~3之整數為佳，以1或2為更佳。d為1~5之整數，又以1~3之整數為佳，以1或2為更佳。
    結構單位(a0)，特別是以下述通式(a0-0-11)或(a0-0-12)所表示之結構單位為佳，式(a0-0-12)所表示之結構單位為更佳。
    〔式中，R、A’、R6、z及R2分別與前述內容為相同〕。
    式(a0-0-11)中，A’以伸甲基、伸乙基、氧原子(-O-)或硫原子(-S-)為佳。
    R2，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，或含有氧原子之2價之鍵結基為佳。R2中之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、含有氧原子之2價之鍵結基，其各別與前述所列舉之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基、含有氧原子之2價之鍵結基為相同之內容。
    式(a0-0-12)所表示之結構單位，特別是以下述通式(a0-0-12a)或(a0-0-12b)所表示之結構單位為佳。
    〔式中，R及A’分別與前述內容為相同，c、d、f為各自獨立之1~3之整數〕
    (A1)成份所含有之結構單位(a0)，可為1種或2種以上皆可。
    (A1)成份中之結構單位(a0)之比例，就使用含有該(A1)成份之光阻組成物可形成良好之光阻圖型形狀、並具有優良之EL Margins、LWR、遮罩重現性等之微影蝕刻特性等觀點，相對於構成(A1)成份之全結構單位之合計，以1~60莫耳%為佳，以5~55莫耳%為較佳，以10~50莫耳%為更佳，以15~50莫耳%為最佳。 (結構單位(a3))
    結構單位(a3)為，α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位(但，相當於上述結構單位(a1)、(a2)、(a0)者除外)。
    (A1)成份具有結構單位(a3)時，曝光部之可提高(A)成份之親水性，相對的可提高對於含有極性有機溶劑之顯影液(有機系顯影液)的溶解性，而可提高解析性等。
    極性基，例如羥基、氰基、羧基、烷基中之氫原子的一部份被氟原子所取代之羥烷基等，特別是以羥基為佳。
    脂肪族烴基，例如，碳數1~10之直鏈狀或支鏈狀之烴基(較佳為伸烷基)或，環狀之脂肪族烴基(環式基)等。該環式基，可為單環式基或多環式基皆可，例如可由ArF準分子雷射用光阻組成物用之樹脂中，多數被提案之內容中，適當地選擇使用。該環式基以多環式基為佳，以碳數7~30者為更佳。
    其中又以含有羥基、氰基、羧基，或烷基中之氫原子的一部份被氟原子所取代之含有羥烷基的脂肪族多環式基之丙烯酸酯所衍生之結構單位為更佳。該多環式基例如，由二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等去除2個以上之氫原子所得之基等例示。具體而言，例如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除2個以上之氫原子所得之基等。該些多環式基之中，又以由金剛烷去除2個以上之氫原子所得之基、降莰烷去除2個以上之氫原子所得之基、四環十二烷去除2個以上之氫原子所得之基就工業上而言為較佳。
    結構單位(a3)為，含有極性基之脂肪族烴基中之烴基為碳數1~10之直鏈狀或支鏈狀之烴基時，以丙烯酸之羥基乙基酯所衍生之結構單位為佳，該烴基為多環式基之際，例如以下述式(a3-1)所表示之結構單位、式(a3-2)所表示之結構單位、式(a3-3)所表示之結構單位為佳。
    (式中，R與前述為相同之內容，j為1~3之整數，k為1~3之整數，t’為1~3之整數，l為1~5之整數，s為1~3之整數)。
    式(a3-1)中，j以1或2為佳，以1為更佳。j為2之情形，羥基以鍵結於金剛烷基之3位與5位者為佳。j為1之情形，羥基以鍵結於金剛烷基之3位者為佳。
    j以1為佳，特別是羥基以鍵結於金剛烷基之3位者為佳。
    式(a3-2)中，k以1為佳。氰基以鍵結於降莰烷之5位或6位者為佳。
    式(a3-3)中，t’以1為佳。l以1為佳。s以1為佳。該些又以丙烯酸之羧基末端，鍵結2-降莰烷或3-降莰烷者為佳。氟化烷醇以鍵結於降莰烷之5或6位者為佳。
    (A1)成份所含有之結構單位(a3)，可為1種或2種以上皆可。
    (A1)成份中，結構單位(a3)之比例，相對於構成(A1)成份之全結構單位之合計，以5~50莫耳%為佳，以5~40莫耳%為較佳，以5~25莫耳%為更佳。下限值以上時，於含有結構單位(a3)時，可得到充分之效果，在上限值以下時，容易得到與其他結構單位之平衡性。 (其他結構單位)
    (A1)成份，於未損害本發明效果之範圍，可具有上述結構單位以外之其他結構單位。
    該其他結構單位，只要為未分類於上述結構單位之結構單位者，則未有特別限定，其可使用ArF準分子雷射用、KrF準分子雷射用(較佳為ArF準分子雷射用)等之光阻用樹脂所使用之以往之多數成份。
    該其他結構單位中，α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有非酸解離性之脂肪族多環式基的結構單位(a4)等。
    結構單位(a4)中，該多環式基例如，與前述之結構單位(a1)之情形所例示之多環式基為相同之內容，其可使用以往已知之ArF準分子雷射用、KrF準分子雷射用(較佳為ArF準分子雷射用)等之光阻組成物之樹脂成份所使用之多數結構單位。
    特別是由三環癸基、金剛烷基、四環十二烷基、異莰基、降莰烷所選出之至少1種時，就工業上容易取得等觀點而為較佳。該些多環式基，可具有作為取代基之碳數1~5之直鏈狀或支鏈狀之烷基。
    結構單位(a4)，具體而言，例如下述通式(a4-1)~(a4-5)所表示之結構等例示。
    (式中，R與前述為相同之內容)。
    (A1)成份中含有該結構單位(a4)之際，相對於構成(A1)成份之全結構單位之合計，結構單位(a4)以含有1~30莫耳%者為佳，以含有10~20莫耳%為更佳。
    本發明中，光阻組成物所含之(A)成份，為含有具有結構單位(a1)之樹脂成份(A1)者。
    該(A1)成份中之較佳者，例如具有由結構單位(a1)，與結構單位(a2)及結構單位(a0)所成群所選出之至少一種的結構單位的高分子化合物；具有結構單位(a1)與結構單位(a3)之高分子化合物；具有由結構單位(a1)，與結構單位(a2)及結構單位(a0)所成群所選出之至少一種的結構單位，與具有結構單位(a3)之高分子化合物等。
    該高分子化合物，具體而言，例如由結構單位(a1)、(a2)及(a3)所形成之高分子化合物；由結構單位(a1)、(a3)及(a0)所形成之高分子化合物；由結構單位(a1)、(a2)、(a3)及(a0)所形成之高分子化合物；由結構單位(a1)及(a2)所形成之高分子化合物等例示。
    (A)成份中，(A1)成份可單獨使用1種，或將2種以上合併使用亦可。
    (A1)成份之質量平均分子量(Mw)(凝膠滲透色層分析法(GPC)之聚苯乙烯換算基準)，並未有特別限定，一般以1000~50000為佳，以1500~30000為更佳，以2000~20000為最佳。此範圍之上限值以下時，作為光阻使用時，對光阻溶劑可得到充分之溶解性，於此範圍之下限值以上時，可得到良好之耐乾蝕刻性或光阻圖型之截面形狀。
    分散度(Mw/Mn)，並未有特別限定，一般以1.0~5.0為佳，以1.0~3.0為更佳，以1.0~2.5為最佳。又，Mn表示數平均分子量。
    (A1)成份，為將衍生各結構單位之單體，例如可使用偶氮雙異丁腈(AIBN)等自由基聚合起始劑，依公知之自由基聚合等予以聚合而可製得。
    又，(A1)成份中，於上述聚合之際，可併用例如HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH等鏈移轉劑之方式，於末端導入-C(CF3)2-OH基亦可。如此，於導入烷基中之氫原子的一部份被氟原子所取代之羥烷基所得之共聚物，可有效降低顯影缺陷或降低LER(線路邊端「粗糙度」：線路側壁之不均勻凹凸)。
    衍生各結構單位之單體，可使用市售者亦可，或利用公知之方法予以合成亦可。
    本發明中，光阻組成物中，(A)成份可併用不相當於前述(A1)成份之經由酸之作用而增大對有機溶劑之溶解性的基材成份。
    不相當於前述(A1)成份之基材成份，並未有特別限定，例如以往已知作為化學增幅型光阻組成物用之基材成份之多數成份，例如，可由線性酚醛樹脂、聚羥基苯乙烯(PHS)系樹脂等之基礎樹脂、低分子化合物成份等適當地選擇使用。
    低分子化合物成份例如，分子量為500以上、未達4000之上述之(A1)成份之說明所例示之具有酸解離性基與親水性基之低分子化合物等。該低分子化合物，具體而言，例如具有複數之酚骨架的化合物中，羥基之一部份氫原子被上述酸解離性基所取代者等。
    (A)成份中之(A1)成份之比例，相對於(A)成份之總質量，以25質量%以上為佳，以50質量%以上為較佳，以75質量%以上為更佳，亦可為100質量%。該比例為25質量%以上時，可容易形成具有高解析性，且具有更高矩形性之良好形狀的光阻圖型。
    光阻組成物中，(A)成份之含量，可配合所欲形成之光阻膜厚度等作適當調整即可。 <(B)成份>
    本發明中，光阻組成物所含之酸產生劑成份(B)，並未有特別限定，其可使用目前為止被提案作為化學增幅型光阻用之酸產生劑之成份。
    該些酸產生劑，目前為止，已知例如錪鹽或鋶鹽等之鎓鹽系酸產生劑、肟磺酸酯系酸產生劑、雙烷基或雙芳基磺醯重氮甲烷類、聚(雙磺醯基)重氮甲烷類等之重氮甲烷系酸產生劑、硝基苄基磺酸酯系酸產生劑、亞胺基磺酸酯系酸產生劑、二碸系酸產生劑等多種成份。
    鎓鹽系酸產生劑，例如可使用下述通式(b-1)或(b-2)所表示之化合物。
    〔式中，R1”~R3”，R5”~R6”表示各自獨立之可具有取代基之芳基、烷基或烯基。式(b-1)中之R1”~R3”之中，任意之二個可相互鍵結，並可與式中之硫原子共同形成環。R4”，表示可具有取代基之烷基、鹵化烷基、芳基，或烯基〕
    式(b-1)中，R1”~R3”各自獨立表示可具有取代基之芳基、烷基或烯基。R1”~R3”之中，任意之二個可相互鍵結，並可與式中之硫原子共同形成環。
    又，就使微影蝕刻特性與光阻圖型形狀更向上提升等觀點，以R1”~R3”中至少1個為芳基為佳，以R1”~R3”之中，以2個以上為芳基者為更佳，以R1”~R3”之全部為芳基者為特佳。
    R1”~R3”之芳基，為碳數6~20之無取代之芳基；該無取代之芳基之氫原子的一部份或全部被烷基、烷氧基、鹵素原子、羥基、酮基(=O)、芳基、烷氧基烷基氧基、烷氧基羰烷基氧基、-C(=O)-O-R6’、-O-C(=O)-R7’、-O-R8’等所取代之取代芳基等。R6’、R7’、R8’，分別表示碳數1~25之直鏈狀、支鏈狀或碳數3~20之環狀之飽和烴基，或，碳數2~5之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族不飽和烴基。
    R1”~R3”中，無取代之芳基，就可廉價合成等觀點，以碳數6~10之芳基為佳。具體而言，例如苯基、萘基等。
    R1”~R3”之取代芳基中作為取代基之烷基，以碳數1~5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。
    取代芳基中作為取代基之烷氧基以碳數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為最佳。
    取代芳基中作為取代基之鹵素原子，又以氟原子為佳。
    取代芳基中作為取代基之芳基，例如與前述R1”~R3”之芳基為相同之內容等，又以碳數6~20之芳基為佳，以碳數6~10之芳基為較佳，以苯基、萘基為更佳。
    取代芳基中之烷氧基烷基氧基，例如，通式：-O-C(R47)(R48)-O-R49
    〔式中，R47、R48為各自獨立之氫原子或直鏈狀或支鏈狀之烷基，R49為烷基〕所表示之基等。
    R47、R48中，烷基之碳數，較佳為1~5，其可為直鏈狀、支鏈狀之任一者皆可，又以乙基、甲基為佳，以甲基為最佳。
    R47、R48以至少一個為氫原子為佳。特別是以一者氫原子，另一者為氫原子或甲基者為更佳。
    R49之烷基，較佳為碳數1~15，其可為其可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者。
    R49中之直鏈狀、支鏈狀之烷基，其碳數以1~5為佳，例如，甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等。
    R49中之環狀之烷基，其碳數以4~15為佳，以碳數4~12為更佳，以碳數5~10為最佳。具體而言，為碳數1~5之烷基、可被氟原子或氟化烷基取代亦可、未被取代亦可之單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。單環鏈烷例如環戊烷、環己烷等。多環鏈烷例如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。其中又以由金剛烷去除1個以上之氫原子所得之基為佳。
    取代芳基中之烷氧基羰烷基氧基，例如，通式：-O-R50-C(=O)-O-R56
    〔式中，R50為直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，R56為三級烷基〕所表示之基等。
    R50中之直鏈狀、支鏈狀之伸烷基，其碳數以1~5為佳，例如，伸甲基、伸乙基、伸三甲基、伸四甲基、1,1-二甲基乙烯基等。
    R56中之三級烷基，例如，2-甲基-2-金剛烷基、2-乙基-2-金剛烷基、1-甲基-1-環戊基、1-乙基-1-環戊基、1-甲基-1-環己基、1-乙基-1-環己基、1-(1-金剛烷基)-1-甲基乙基、1-(1-金剛烷基)-1-甲基丙基、1-(1-金剛烷基)-1-甲基丁基、1-(1-金剛烷基)-1-甲基戊基；1-(1-環戊基)-1-甲基乙基、1-(1-環戊基)-1-甲基丙基、1-(1-環戊基)-1-甲基丁基、1-(1-環戊基)-1-甲基戊基；1-(1-環己基)-1-甲基乙基、1-(1-環己基)-1-甲基丙基、1-(1-環己基)-1-甲基丁基、1-(1-環己基)-1-甲基戊基、tert-丁基、tert-戊基、tert-己基等。
    此外，前述通式：-O-R50-C(=O)-O-R56中之R56被R56’所取代之基等。R56’為可含有氫原子、烷基、氟化烷基，或雜原子之脂肪族環式基。
    R56’中之烷基，與前述R49之烷基為相同之內容。
    R56’中之氟化烷基，例如前述R49之烷基中之氫原子的一部份或全部被氟原子所取代之基等。
    R56’中，可含有雜原子之脂肪族環式基，例如，不含有雜原子之脂肪族環式基、環結構中含有雜原子之脂肪族環式基、脂肪族環式基中之氫原子被雜原子所取代者等。
    R56’中，不含有雜原子之脂肪族環式基，例如由單環鏈烷、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。單環鏈烷例如環戊烷、環己烷等。多環鏈烷例如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。其中又以由金剛烷去除1個以上之氫原子所得之基為佳。
    R56’中，環結構中含有雜原子之脂肪族環式基，具體而言，例如後述之式(L1)~(L6)、(S1)~(S4)所表示之基等。
    R56’中，脂肪族環式基中之氫原子被雜原子所取代者，具體而言，例如脂肪族環式基中之氫原子被氧原子(=O)所取代者等。
    -C(=O)-O-R6’、-O-C(=O)-R7’、-O-R8’中之R6’、R7’、R8’，分別表示碳數1~25之直鏈狀、支鏈狀或碳數3~20之環狀之飽和烴基，或，碳數2~5之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族不飽和烴基。
    直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基，一般為碳數1~25，以碳數1~15為佳，以4~10為更佳。
    直鏈狀之飽和烴基，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。
    支鏈狀之飽和烴基，例如，上述R56中之三級烷基、1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。
    前述直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基，可具有取代基。該取代基，例如烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)、氰基、羧基等。
    作為前述直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基的取代基之烷氧基，以碳數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。
    作為前述直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基的取代基之鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。
    前述直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基之取代基之鹵化烷基例如，前述直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。
    R6’、R7’、R8’中之碳數3~20之環狀之飽和烴基，可為多環式基、單環式基之任一者皆可，例如，單環鏈烷去除1個氫原子所得之基；由二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個氫原子所得之基等。更具體而言，例如由由環戊烷、環己烷、環庚烷、環辛烷等之單環鏈烷，或由金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個氫原子所得之基等。
    該環狀之飽和烴基，可具有取代基。例如構成具有該環狀烷基之環的碳原子之一部份可被雜原子所取代，鍵結於該環狀之烷基所具有之環的氫原子可被取代基所取代。
    前者之例如，由前述構成單環鏈烷或多環鏈烷之環的碳原子之一部份被氧原子、硫原子、氮原子等之雜原子所取代之雜環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。又，前述環之結構中亦可具有酯鍵結(-C(=O)-O-)。具體而言，γ-丁內酯去除1個氫原子所得之基等之含內酯之單環式基，或由具有內酯環之二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷去除1個氫原子所得之基等之含內酯之多環式基等。
    後者例示中之取代基，與上述直鏈狀或支鏈狀之烷基所可具有之取代基所列舉之基為相同之內容、低級烷基等。
    又，R6’、R7’、R8’，可為直鏈狀或支鏈狀之烷基，與環狀烷基之組合。
    直鏈狀或支鏈狀之烷基與環狀烷基之組合，例如直鏈狀或支鏈狀之烷基鍵結作為取代基之環狀烷基所得之基、環狀之烷基鍵結有作為取代基之直鏈狀或支鏈狀之烷基之基等。
    R6’、R7’、R8’中之直鏈狀之脂肪族不飽和烴基，例如，乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。
    R6’、R7’、R8’中之支鏈狀之脂肪族不飽和烴基，例如，1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。
    該直鏈狀或支鏈狀之脂肪族不飽和烴基可具有取代基。該取代基與前述直鏈狀或支鏈狀之烷基所可具有之取代基所列舉之內容為相同之內容。
    R7’、R8’中，於上述之中，就具有良好微影蝕刻特性、光阻圖型形狀等觀點，以碳數1~15之直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基，或碳數3~20之環狀之飽和烴基為佳。
    R1”~R3”之芳基，分別以苯基或萘基為佳。
    R1”~R3”之烷基，例如，碳數1~10之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基等。其中，又就具有優良解析性等觀點，以碳數1~5為佳。具體而言，例如甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、n-戊基、環戊基、己基、環己基、壬基、癸基等，就具有優良解析性，且適合廉價合成之成份，可例如甲基等。
    R1”~R3”之烯基，例如以碳數2~10為佳，以2~5為較佳，以2~4為更佳。具體而言，乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基、1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。
    R1”~R3”之中，任意2個可相互鍵結，並與式中之硫原子共同形成環之情形，以包含硫原子而形成3~10員環者為佳，以形成5~7員環者為特佳。
    R1”~R3”之中，任意2個可相互鍵結，並與式中之硫原子共同形成環之情形，剩餘之1個，以芳基為佳。前述芳基與前述R1”~R3”之芳基為相同之內容。
    前述式(b-1)所表示之化合物中之陽離子部的具體例，例如，三苯基鋶、(3,5-二甲基苯基)二苯基鋶、(4-(2-金剛烷氧甲基氧基)-3,5-二甲基苯基)二苯基鋶、(4-(2-金剛烷氧甲基氧基)苯基)二苯基鋶、(4-(tert-丁氧羰甲基氧基)苯基)二苯基鋶、(4-(tert-丁氧羰甲基氧基)-3,5-二甲基苯基)二苯基鋶、(4-(2-甲基-2-金剛烷基氧基羰甲基氧基)苯基)二苯基鋶、(4-(2-甲基-2-金剛烷基氧基羰甲基氧基)-3,5-二甲基苯基)二苯基鋶、三(4-甲基苯基)鋶、二甲基(4-羥基萘基)鋶、單苯基二甲基鋶、二苯基單甲基鋶、(4-甲基苯基)二苯基鋶、(4-甲氧基苯基)二苯基鋶、三(4-tert-丁基)苯基鋶、二苯基(1-(4-甲氧基)萘基)鋶、二(1-萘基)苯基鋶、1-苯基四氫噻吩鎓、1-(4-甲基苯基)四氫噻吩鎓、1-(3,5-二甲基-4-羥苯基)四氫噻吩鎓、1-(4-甲氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓、1-(4-乙氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓、1-(4-n-丁氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓、1-苯基四氫噻喃鎓、1-(4-羥苯基)四氫噻喃鎓、1-(3,5-二甲基-4-羥苯基)四氫噻喃鎓、1-(4-甲基苯基)四氫噻喃鎓等。
    又，前述式(b-1)所表示之化合物中之陽離子部中之更適當者，具體而言，例如以下所示者等。

    〔式中，g1表示重複之數，1~5之整數〕
    〔式中，g2、g3表示重複之數，g2為0~20之整數，g3為0~20之整數〕

    前述式(b-1)中，R4”，表示可具有取代基之烷基、鹵化烷基、芳基，或烯基。
    R4”中之烷基，其可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者。
    前述直鏈狀或支鏈狀之烷基，以碳數1~10為佳，以碳數1~8為更佳，以碳數1~4為最佳。
    前述環狀之烷基，以碳數4~15為佳，以碳數4~10為更佳，以碳數6~10為最佳。
    R4”中之鹵化烷基，例如前述直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基之氫原子的一部份或全部被鹵素原子所取代之基等。該鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。
    鹵化烷基中，相對於該鹵化烷基所含之鹵素原子及氫原子之合計數，鹵素原子數之比例(鹵化率(%))，以10~100%為佳，以50~100%為較佳，以100%為最佳。該鹵化率越高時，以可增強其酸之強度而為較佳。
    前述R4”中之芳基，以碳數6~20之芳基為佳。
    前述R4”中之烯基，以碳數2~10之烯基為佳。
    前述R4”中，「可具有取代基」係指，前述之烷基、鹵化烷基、芳基，或烯基中之氫原子的一部份或全部可被取代基(氫原子以外之其他原子或基)所取代之意。
    R4”中之取代基之數，可為1個亦可，2個以上亦可。
    前述取代基，例如，鹵素原子、雜原子、烷基、式：Xb-Q1-〔式中，Q1為含有氧原子之2價之鍵結基，Xb為可具有取代基之碳數3~30之烴基〕所表示之基等。
    前述鹵素原子、烷基，例如與R4”中，鹵化烷基中之鹵素原子、烷基所列舉之內容為相同之內容。
    前述雜原子例如，氧原子、氮原子、硫原子等。
    Xb-Q1-所表示之基中，Q1為含有氧原子之2價之鍵結基。
    Q1，可含有氧原子以外之原子。氧原子以外之原子，例如碳原子、氫原子、硫原子、氮原子等。
    含有氧原子之2價之鍵結基，例如，氧原子(醚鍵結；-O-)、酯鍵結(-C(=O)-O-)、醯胺鍵結(-C(=O)-NH-)、羰基(-C(=O)-)、碳酸酯鍵結(-O-C(=O)-O-)等之非烴系之氧原子之鍵結基；該非烴系之氧原子之鍵結基與伸烷基之組合等。
    該組合例如，-R91-O-、-R92-O-C(=O)-、-C(=O)-O-R93-O-C(=O)-(式中，R91~R93為各自獨立之伸烷基)等。
    R91~R93中之伸烷基，以直鏈狀或支鏈狀之伸烷基為佳，該伸烷基之碳數，以1~12為佳，以1~5為更佳，以1~3為特佳。
    該伸烷基，具體而言，例如伸甲基〔-CH2-〕；-CH(CH3)-、-CH(CH2CH3)-、-C(CH3)2-、-C(CH3)(CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH2CH3)-、-C(CH2CH3)2-等之烷基伸甲基；伸乙基〔-CH2CH2-〕；-CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-CH(CH2CH3)CH2-等之烷基伸乙基；伸三甲基(n-伸丙基)〔-CH2CH2CH2-〕；-CH(CH3)CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2-等之烷基伸三甲基；伸四甲基〔-CH2CH2CH2CH2-〕；-CH(CH3)CH2CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2CH2-等之烷基伸四甲基；伸五甲基〔-CH2CH2CH2CH2CH2-〕等。
    Q1，以含有酯鍵結或醚鍵結之2價之鍵結基為佳，其中又以-R91-O-、-R92-O-C(=O)-或-C(=O)-O-R93-O-C(=O)-為佳。
    Xb-Q1-所表示之基中，Xb之烴基，可為芳香族烴基亦可，脂肪族烴基亦可。
    芳香族烴基為具有芳香環之烴基。該芳香族烴基之碳數以3~30為佳，以5~30為較佳，以5~20為更佳，以6~15為特佳，以6~12為最佳。但，該碳數為不包含取代基中之碳數者。
    芳香族烴基，具體而言，為由苯基、聯苯基(biphenyl)、茀基(fluorenyl)、萘基、蒽基(anthryl)、菲基等芳香族烴環去除1個氫原子所得之芳基、苯甲基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等之芳基烷基等。前述芳基烷基中之烷基鏈之碳數，以1~4為佳，以1~2為更佳，以1為特佳。
    該芳香族烴基，可具有取代基。例如構成該芳香族烴基所具有之芳香環的碳原子之一部份可被雜原子所取代，鍵結於該芳香族烴基所具有之芳香環的氫原子可被取代基所取代。
    前者之例如，構成前述芳基之環的碳原子之一部份被氧原子、硫原子、氮原子等雜原子所取代之雜芳基、構成前述芳基烷基中之芳香族烴環的碳原子之一部份被前述雜原子所取代之雜芳基烷基等。
    後者例示中之芳香族烴基之取代基，例如，烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)等。
    作為前述芳香族烴基之取代基的烷基，以碳數1~5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為最佳。
    作為前述芳香族烴基之取代基的烷氧基以碳數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。
    作為前述芳香族烴基之取代基的鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。
    前述芳香族烴基之取代基之鹵化烷基例如，前述烷基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。
    Xb中之脂肪族烴基，可為飽和脂肪族烴基亦可，不飽和脂肪族烴基亦可。又，脂肪族烴基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者。
    Xb中，脂肪族烴基，構成該脂肪族烴基的碳原子之一部份可被含有雜原子之取代基所取代、構成該脂肪族烴基之氫原子之一部份或全部可被含有雜原子之取代基所取代亦可。
    Xb中之「雜原子」，只要為碳原子及氫原子以外之原子時，並未有特別限定，例如鹵素原子、氧原子、硫原子、氮原子等。
    鹵素原子例如，氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。
    含有雜原子之取代基，可為僅由含有前述雜原子所構成者亦可，或含有前述雜原子以外之基或原子之基亦可。
    可取代碳原子的一部份之取代基，具體而言，例如-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-(H可被烷基、醯基等之取代基所取代)、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-等。脂肪族烴基為環狀之情形，該些取代基可包含於環結構之中。
    可取代氫原子之一部份或全部之取代基，具體而言，例如烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)、氰基等。
    前述烷氧基以碳數1~5之烷氧基為佳，以甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基為佳，以甲氧基、乙氧基為最佳。
    前述鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，又以氟原子為佳。
    前述鹵化烷基以碳數1~5之烷基、例如甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基等之烷基之氫原子的一部份或全部被前述鹵素原子所取代之基等。
    脂肪族烴基以直鏈狀或支鏈狀之飽和烴基、直鏈狀或支鏈狀之1價之不飽和烴基，或環狀之脂肪族烴基(脂肪族環式基)為佳。
    直鏈狀之飽和烴基(烷基)，以碳數1~20為佳，以1~15為更佳，以1~10為最佳。具體而言，例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、異十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。
    支鏈狀之飽和烴基(烷基)，其碳數以3~20為佳，以3~15為更佳，以3~10為最佳。具體而言，例如，1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。
    不飽和烴基，其碳數以2~10為佳，以2~5為佳，以2~4為佳，3為特佳。直鏈狀之1價之不飽和烴基，例如，乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。支鏈狀之1價之不飽和烴基，例如，1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。
    不飽和烴基，於上述之中，特別是以丙烯基為佳。
    脂肪族環式基，可為單環式基亦可，多環式基亦可。其碳數以3~30為佳，以5~30為較佳，以5~20為更佳，以6~15為特佳，以6~12為最佳。
    具體而言，例如，由單環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基；由二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。更具體而言，例如環戊烷、環己烷等之單環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基；金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等。
    脂肪族環式基為，其環結構中不含有含雜原子之取代基之情形，脂肪族環式基以多環式基為佳，以多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基為佳，以金剛烷去除1個以上之氫原子所得之基為最佳。
    脂肪族環式基為，其環結構中含有含雜原子之取代基之情形，該含有雜原子之取代基，以-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-為佳。該脂肪族環式基之具體例，例如下述式(L1)~(L6)、(S1)~(S4)所表示之基等。
    〔式中，Q”為碳數1~5之伸烷基、-O-、-S-、-O-R94-或-S-R95-，R94及R95為各自獨立之碳數1~5之伸烷基，m為0或1之整數〕
    式中，Q”、R94及R95中之伸烷基，分別與前述R91~R93中之伸烷基為相同之內容。
    該些之脂肪族環式基中，構成該環結構之碳原子所鍵結之氫原子的一部份可被取代基所取代。該取代基，例如烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、氧原子(=O)等。
    前述烷基，以碳數1~5之烷基為佳，以甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基為特佳。
    前述烷氧基、鹵素原子分別與前述可取代氫原子之一部份或全部之取代基所列舉之內容為相同之內容。
    上述之中，又以該Xb，為可具有取代基之環式基為佳。該環式基為，可具有取代基之芳香族烴基亦可，可具有取代基之脂肪族環式基亦可，又以可具有取代基之脂肪族環式基為佳。
    前述芳香族烴基，以可具有取代基之萘基，或可具有取代基之苯基為佳。
    可具有取代基之脂肪族環式基，以可具有取代基多環式之脂肪族環式基為佳。該多環式之脂肪族環式基，以由前述多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基、前述(L2)~(L5)、(S3)~(S4)所表示之基等為佳。
    又，Xb，就使微影蝕刻特性、光阻圖型形狀再向上提升等觀點，具有極性部位者為特佳。
    具有極性部位者，例如，構成上述Xb之脂肪族環式基的碳原子的一部份被含有雜原子之取代基，即，-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-(H可被烷基、醯基等之取代基所取代)、-S-、-S(=O)2-、-S(=O)2-O-等，所取代者等。
    上述之中，又以R4”以具有作為取代基之Xb-Q1者為佳。此情形中，R4”，以Xb-Q1-Y1-〔式中，Q1及Xb與前述為相同之內容，Y1為可具有取代基之碳數1~4之伸烷基或可具有取代基之碳數1~4之氟化伸烷基〕所表示之基為佳。
    Xb-Q1-Y1-所表示之基中，Y1之伸烷基與前述Q1所列舉之伸烷基中之碳數1~4之內容為相同之內容。
    Y1之氟化伸烷基例如，該伸烷基之氫原子的一部份或全部被氟原子所取代之基等。
    Y1，具體而言，例如-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2-、-CF(CF2CF3)-、-C(CF3)2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2CF2-、-CF2CF(CF3)CF2-、-CF(CF3)CF(CF3)-、-C(CF3)2CF2-、-CF(CF2CF3)CF2-、-CF(CF2CF2CF3)-、-C(CF3)(CF2CF3)-；-CHF-、-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-、-CH(CF3)CH2-、-CH(CF2CF3)-、-C(CH3)(CF3)-、-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH(CF3)CH2CH2-、-CH2CH(CF3)CH2-、-CH(CF3)CH(CF3)-、-C(CF3)2CH2-；-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)CH2-、-CH(CH2CH3)-、-C(CH3)2-、-CH2CH2CH2CH2-、-CH(CH3)CH2CH2-、-CH2CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-CH(CH2CH3)CH2-、-CH(CH2CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH3)-等。
    Y1，以氟化伸烷基為佳，特別是鄰接之硫原子所鍵結之碳原子經氟化所得之氟化伸烷基為佳。該些氟化伸烷基，例如-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2-、-CF2CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2CF2-、-CF2CF(CF3)CF2-、-CF(CF3)CF(CF3)-、-C(CF3)2CF2-、-CF(CF2CF3)CF2-；-CH2CF2-、-CH2CH2CF2-、-CH2CF2CF2-；-CH2CH2CH2CF2-、-CH2CH2CF2CF2-、-CH2CF2CF2CF2-等。
    該些之中，又以-CF2-、-CF2CF2-、-CF2CF2CF2-，或CH2CF2CF2-為佳，以-CF2-、-CF2CF2-或-CF2CF2CF2-為更佳，以-CF2-為特佳。
    前述伸烷基或氟化伸烷基，可具有取代基。伸烷基或氟化伸烷基為「具有取代基」，係指該伸烷基或氟化伸烷基中之氫原子或氟原子的一部份或全部被氫原子及氟原子以外之原子或基所取代之意。
    伸烷基或氟化伸烷基所可具有之取代基例如，碳數1~4之烷基、碳數1~4之烷氧基、羥基等。
    前述式(b-2)中，R5”~R6”各自獨立表示可具有取代基之芳基、烷基或烯基。
    又，就使微影蝕刻特性與光阻圖型形狀更向上提升等觀點，以R5”~R6”中至少1個為芳基為佳，以R5”~R6”皆為芳基者為更佳。
    R5”~R6”之芳基，例如與R1”~R3”之芳基為相同之內容。
    R5”~R6”之烷基，例如與R1”~R3”之烷基為相同之內容。
    R5”~R6”之烯基，例如與R1”~R3”之烯基為相同之內容。
    該些之中，又以R5”~R6”全部為苯基者為最佳。
    前述式(b-2)所表示之化合物中之陽離子部的具體例如，二苯基錪、雙(4-tert-丁基苯基)錪等。
    前述式(b-2)中之R4”，與上述式(b-1)中之R4”為相同之內容。
    式(b-1)、(b-2)所表示之鎓鹽系酸產生劑之具體例如，二苯基錪之三氟甲烷磺酸酯或九氟丁烷磺酸酯、雙(4-tert-丁基苯基)錪之三氟甲烷磺酸酯或九氟丁烷磺酸酯、三苯基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、三(4-甲基苯基)鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、二甲基(4-羥基萘基)鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、單苯基二甲基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；二苯基單甲基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、(4-甲基苯基)二苯基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、(4-甲氧基苯基)二苯基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、三(4-tert-丁基)苯基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、二苯基(1-(4-甲氧基)萘基)鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯、二(1-萘基)苯基鋶之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-苯基四氫噻吩鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(4-甲基苯基)四氫噻吩鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(3,5-二甲基-4-羥苯基)四氫噻吩鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(4-甲氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(4-乙氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(4-n-丁氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-苯基四氫噻喃鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(4-羥苯基)四氫噻喃鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(3,5-二甲基-4-羥苯基)四氫噻喃鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯；1-(4-甲基苯基)四氫噻喃鎓之三氟甲烷磺酸酯、其七氟丙烷磺酸酯或其九氟丁烷磺酸酯等。
    又，該些鎓鹽之陰離子部被甲烷磺酸酯、n-丙烷磺酸酯、n-丁烷磺酸酯、n-辛烷磺酸酯、1-金剛烷磺酸酯、2-降莰烷磺酸酯等之烷基磺酸酯；d-樟腦烷-10-磺酸酯、苯磺酸酯、全氟苯磺酸酯、p-甲苯磺酸酯等之磺酸酯所分別取代之鎓鹽。
    又，亦可使用該些鎓鹽之陰離子部被下述式(b1)~(b8)之任一所表示之陰離子所取代之鎓鹽。
    〔式中，y為1~3之整數，q1~q2為各自獨立之1~5之整數，q3為1~12之整數，t3為1~3之整數，r1~r2為各自獨立之0~3之整數，i為1~20之整數，R50為取代基，m1~m5為各自獨立之0或1，v0~v5為各自獨立之0~3之整數，w1~w5為各自獨立之0~3之整數，Q”與前述為相同之內容〕。
    R50之取代基，前述Xb中，脂肪族烴基所可具有之取代基、芳香族烴基所可具有之取代基所列舉之內容為相同之內容。
    R50所附之符號(r1~r2、w1~w5)為2以上之整數之情形，該化合物中之複數之R50可分別為相同或相異皆可。
    又，鎓鹽系酸產生劑，亦可使用前述通式(b-1)或(b-2)中，陰離子部(R4”SO3 -)被下述通式(b-3)或(b-4)所表示之陰離子所取代之鎓鹽系酸產生劑(陽離子部與前述式(b-1)或(b-2)中之陽離子部相同)。
    〔式中，X”表示至少1個氫原子被氟原子所取代之碳數2~6之伸烷基；Y”、Z”各別獨立表示至少1個氫原子被氟原子所取代之碳數1~10之烷基〕
    X”為至少1個氫原子被氟原子所取代之直鏈狀或支鏈狀之伸烷基，該伸烷基之碳數為2~6，較佳為碳數3~5，最佳為碳數3。
    Y”、Z”各自獨立為至少1個氫原子被氟原子所取代之直鏈狀或支鏈狀之烷基，該烷基之碳數為1~10，較佳為碳數1~7，更佳為碳數1~3。
    X”之伸烷基之碳數或Y”、Z”之烷基之碳數於上述碳數範圍內時，就對光阻溶劑具有良好溶解性等理由，以越小越好。
    又，X”之伸烷基或Y”、Z”之烷基中，被氟原子所取代之氫原子數目越多時，酸之強度越強，又可提高對200nm以下之高能量光或電子線之透明性等，而為較佳。
    該伸烷基或烷基中之氟原子之比例，即氟化率，較佳為70~100%，最佳為90~100%，最佳為全部氫原子被氟原子所取代之全氟伸烷基或全氟烷基。
    又，鎓鹽系酸產生劑，亦可使用前述通式(b-1)或(b-2)中，陰離子部(R4”SO3 -)被Ra-COO-〔式中，Ra為烷基或氟化烷基〕所取代之鎓鹽系酸產生劑(陽離子部與前述式(b-1)或(b-2)中之陽離子部相同)。
    前述式中，Ra，與前述R4”為相同之內容。
    上述「Ra-COO-」之具體例，例如三氟乙酸離子、乙酸離子、1-金剛烷羧酸離子等。
    又，鎓鹽系酸產生劑，亦可使用陽離子部具有下述通式(b-5)或(b-6)所表示之陽離子的鋶鹽。
    〔式中，R81~R86為各自獨立之烷基、乙醯基、烷氧基、羧基、羥基或羥烷基；n1~n5為各自獨立之0~3之整數，n6為0~2之整數〕
    R81~R86中，烷基以碳數1~5之烷基為佳，其中又以直鏈或支鏈狀之烷基為更佳，以甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基，或tert-丁基為特佳。
    烷氧基以碳數1~5之烷氧基為佳，其中又以直鏈狀或支鏈狀之烷氧基為更佳，以甲氧基、乙氧基為特佳。
    羥烷基，以上述烷基中之一個或複數個氫原子被羥基所取代之基為佳，例如羥甲基、羥乙基、羥丙基等。
    R81~R86所附之符號n1~n6為2以上之整數之情形，複數之R81~R86可分別為相同或相異皆可。
    n1，較佳為0~2，更佳為0或1，最佳為0。
    n2及n3，較佳為各自獨立之0或1，更佳為0。
    n4，較佳為0~2，更佳為0或1。
    n5，較佳為0或1，更佳為0。
    n6，較佳為0或1，更佳為1。
    前述式(b-5)或式(b-6)所表示之陽離子之較佳內容，例如以下所示者等。
    此外，亦可使用陽離子部具有下述之通式(b-7)或通式(b-8)所表示之陽離子的鋶鹽。
    式(b-7)、(b-8)中，R9、R10為各自獨立之可具有取代基之苯基、萘基或碳數1~5之烷基、烷氧基、羥基。該取代基，與上述R1”~R3”之芳基之說明中所例示之取代芳基中之取代基(烷基、烷氧基、烷氧基烷基氧基、烷氧基羰烷基氧基、鹵素原子、羥基、酮基(=O)、芳基、-C(=O)-O-R6’、-O-C(=O)-R7’、-O-R8’、前述通式：-O-R50-C(=O)-O-R56中之R56被R56’所取代之基等)為相同之內容。
    R4’為碳數1~5之伸烷基。
    u為1~3之整數，1或2為最佳。
    前述式(b-7)或式(b-8)所表示之陽離子之較佳內容，例如以下所示者等。式中，RC為上述取代芳基之說明中所例示之取代基(烷基、烷氧基、烷氧基烷基氧基、烷氧基羰烷基氧基、鹵素原子、羥基、酮基(=O)、芳基、-C(=O)-O-R6’、-O-C(=O)-R7’、-O-R8’)。
    陽離子部具有式(b-5)~(b-8)所表示之陽離子的鋶鹽之陰離子部，並未有特別限定，其可與目前被提案之鎓鹽系酸產生劑之陰離子部為相同之內容。該陰離子部，例如上述通式(b-1)或(b-2)所表示之鎓鹽系酸產生劑之陰離子部(R4”SO3 -)等之氟化烷基磺酸離子；上述通式(b-3)或(b-4)所表示之陰離子、前述式(b1)~(b8)之任一所表示之陰離子等。
    本說明書中，肟磺酸酯系酸產生劑為，至少具有1個下述通式(B-1)所表示之基的化合物，且具有經由輻射線之照射(曝光)而產生酸之特性者。該些肟磺酸酯系酸產生劑，已有許多被作為化學增幅型光阻組成物使用，而可由其中任意的選擇使用。
    (式(B-1)中，R31、R32表示各自獨立之有機基)。
    R31、R32之有機基為包含碳原子之基，其可具有碳原子以外之原子(例如氫原子、氧原子、氮原子、硫原子、鹵素原子(氟原子、氯原子等)等)。
    R31之有機基，以直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基或芳基為佳。該些之烷基、芳基可具有取代基。該取代基，並未有特別限制，例如氟原子、碳數1~6之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基等。其中，「具有取代基」係指烷基或芳基之氫原子的一部份或全部被取代基所取代之意。
    烷基，以碳數1~20為佳，以碳數1~10為較佳，以碳數1~8為更佳，以碳數1~6為特佳，以碳數1~4為最佳。烷基，特別是以部份或完全被鹵化之烷基(以下，亦稱為鹵化烷基)為佳。又，部份被鹵化之烷基係指，氫原子之一部份被鹵素原子所取代之烷基之意，完全被鹵化之烷基係指，全部氫原子被鹵素原子所取代之烷基之意。鹵素原子例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特別是以氟原子為佳。即，鹵化烷基以氟化烷基為佳。
    芳基中，碳數以4~20為佳，以碳數4~10為更佳，以碳數6~10為最佳。芳基，特別是以部份或完全被鹵化之芳基為佳。又，部份被鹵化之芳基係指，氫原子的一部份被鹵素原子所取代之芳基之意，完全被鹵化之芳基係指，全部氫原子被鹵素原子所取代之芳基之意。
    R31，特別是以不具有取代基之碳數1~4之烷基，或碳數1~4之氟化烷基為佳。
    R32之有機基，以直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基、芳基或氰基為佳。R32之烷基、芳基，例如與前述R31所列舉之烷基、芳基為相同之內容。
    R32，特別是以氰基、不具有取代基之碳數1~8之烷基，或碳數1~8之氟化烷基為佳。
    肟磺酸酯系酸產生劑，更佳者例如下述通式(B-2)或(B-3)所表示之化合物等。
    〔式(B-2)中，R33為氰基、不具有取代基之烷基或鹵化烷基。R34為芳基。R35為不具有取代基之烷基或鹵化烷基〕
    〔式(B-3)中，R36為氰基、不具有取代基之烷基或鹵化烷基。R37為2或3價之芳香族烴基。R38為不具有取代基之烷基或鹵化烷基。p”為2或3〕。
    前述通式(B-2)中，R33之不具有取代基之烷基或鹵化烷基，其碳數以1~10為佳，以碳數1~8為更佳，以碳數1~6為最佳。
    R33，以鹵化烷基為佳，以氟化烷基為更佳。
    R33中之氟化烷基，以烷基之氫原子被50%以上氟化者為佳，以被70%以上氟化者為更佳，以90%以上被氟化者為特佳。
    R34之芳基，例如由苯基、聯苯基(biphenyl)、茀基(fluorenyl)、萘基、蒽基(anthryl)、菲基等芳香族烴之環去除1個氫原子所得之基，及構成該些之基的環之碳原子的一部份被氧原子、硫原子、氮原子等雜原子所取代之雜芳基等。該些之中，又以茀基為佳。
    R34之芳基，可具有碳數1~10之烷基、鹵化烷基、烷氧基等取代基。該取代基中之烷基或鹵化烷基，其碳數以1~8為佳，以碳數1~4為最佳。又，該鹵化烷基以氟化烷基為佳。
    R35之不具有取代基之烷基或鹵化烷基，其碳數以1~10為佳，以碳數1~8為更佳，以碳數1~6為最佳。
    R35，以鹵化烷基為佳，以氟化烷基為更佳。
    R35中之氟化烷基，以烷基之氫原子被50%以上氟化者為佳，以被70%以上氟化者為更佳，又以90%以上被氟化者，以可提高所發生之酸的強度而為特佳。最佳為氫原子被100%氟取代之全氟化烷基。
    前述通式(B-3)中，R36之不具有取代基之烷基或鹵化烷基，與上述R33之不具有取代基之烷基或鹵化烷基為相同之內容。
    R37之2或3價之芳香族烴基，例如上述R34之芳基再去除1或2個氫原子所得之基等。
    R38之不具有取代基之烷基或鹵化烷基，與上述R35之不具有取代基之烷基或鹵化烷基為相同之內容。
    p”，較佳為2。
    肟磺酸酯系酸產生劑之具體例如，α-(p-甲苯磺醯基氧基亞胺基)-苄基氰化物、α-(p-氯基苯磺醯基氧基亞胺基)-苄基氰化物、α-(4-硝基苯磺醯基氧基亞胺基)-苄基氰化物、α-(4-硝基-2-三氟甲基苯磺醯基氧基亞胺基)-苄基氰化物、α-(苯磺醯基氧基亞胺基)-4-氯基苄基氰化物、α-(苯磺醯基氧基亞胺基)-2,4-二氯基苄基氰化物、α-(苯磺醯基氧基亞胺基)-2,6-二氯基苄基氰化物、α-(苯磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苄基氰化物、α-(2-氯基苯磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苄基氰化物、α-(苯磺醯基氧基亞胺基)-噻嗯-2-基乙腈、α-(4-十二烷基苯磺醯基氧基亞胺基)-苄基氰化物、α-〔(p-甲苯磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基〕乙腈、α-〔(十二烷基苯磺醯基氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基〕乙腈、α-(甲苯磺醯氧基亞胺基)-4-噻嗯基氰化物、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-1-環庚烯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-1-環辛烯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯基氧基亞胺基)-環己基乙腈、α-(乙基磺醯基氧基亞胺基)-乙基乙腈、α-(丙基磺醯基氧基亞胺基)-丙基乙腈、α-(環己基磺醯基氧基亞胺基)-環戊基乙腈、α-(環己基磺醯基氧基亞胺基)-環己基乙腈、α-(環己基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(乙基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(異丙基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(n-丁基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(乙基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(異丙基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(n-丁基磺醯基氧基亞胺基)-1-環己烯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-苯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-p-甲氧基苯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯基氧基亞胺基)-苯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯基氧基亞胺基)-p-甲氧基苯基乙腈、α-(乙基磺醯基氧基亞胺基)-p-甲氧基苯基乙腈、α-(丙基磺醯基氧基亞胺基)-p-甲基苯基乙腈、α-(甲基磺醯基氧基亞胺基)-p-溴基苯基乙腈等。
    又，特開平9-208554號公報(段落〔0012〕~〔0014〕之〔化18〕~〔化19〕)所揭示之肟磺酸酯系酸產生劑、國際公開第04/074242號公報(65~85頁之Example1~40)所揭示之肟磺酸酯系酸產生劑亦適合使用。
    又，較佳之成份可例如以下所例示之內容。
    重氮甲烷系酸產生劑之中，雙烷基或雙芳基磺醯重氮甲烷類之具體例如，雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(p-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(1,1-二甲基乙基磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯基磺醯基)重氮甲烷等。
    又，特開平11-035551號公報、特開平11-035552號公報、特開平11-035573號公報所揭示之重氮甲烷系酸產生劑亦適合使用。
    又，聚(雙磺醯基)重氮甲烷類，例如，特開平11-322707號公報所揭示之1,3-雙(苯基磺醯基重氮甲基磺醯基)丙烷、1,4-雙(苯基磺醯基重氮甲基磺醯基)丁烷、1,6-雙(苯基磺醯基重氮甲基磺醯基)己烷、1,10-雙(苯基磺醯基重氮甲基磺醯基)癸烷、1,2-雙(環己基磺醯基重氮甲基磺醯基)乙烷、1,3-雙(環己基磺醯基重氮甲基磺醯基)丙烷、1,6-雙(環己基磺醯基重氮甲基磺醯基)己烷、1,10-雙(環己基磺醯基重氮甲基磺醯基)癸烷等。
    (B)成份中，上述之酸產生劑可單獨使用1種，或將2種以上組合使用亦可。
    光阻組成物中之(B)成份之含量，相對於(A)成份100質量份，以0.5~60質量份為佳，以1~50質量份為更佳，以1~40質量份為最佳。於上述範圍內時，可充分地進行圖型之形成。又，光阻組成物之各成份溶解於有機溶劑之際，就可得到均勻溶液、良好之保存安定性等觀點，而為較佳。
    本發明中，光阻組成物，於未損害本發明效果之範圍，可含有不相當於前述之(A)成份與(B)成份之含氮有機化合物成份(D)(以下，亦稱為「(D)成份」)。
    (D)成份，只要具有作為酸擴散控制劑，即可捕集經由曝光而由前述之(B)成份所產生之酸的抑制劑作用之成份時，並未有特別限定，目前已有各式各樣之提案，而可由公知成份中適當選擇使用。例如脂肪族胺、芳香族胺等之胺等，其中又以脂肪族胺、特別是二級脂肪族胺或三級脂肪族胺為佳。
    脂肪族胺係指具有1個以上之脂肪族基的胺，該脂肪族基以碳數1~20為佳。
    脂肪族胺，例如，氨NH3之至少1個氫原子被碳數20以下之烷基或羥烷基所取代之胺(烷基胺或烷醇胺)或環式胺等。
    烷基，及羥烷基中之烷基，其可為直鏈狀、支鏈狀、環狀之任一者。
    該烷基為直鏈狀或支鏈狀之情形，其碳數以2~20為更佳，以2~8為最佳。
    該烷基為環狀之情形(為環烷基之情形)，其碳數以3~30為佳，以3~20為較佳，以3~15為更佳，以碳數4~12為特佳，以碳數5~10為最佳。該烷基為單環式亦可，多環式亦可。具體而言，例如由單環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基、二環鏈烷、三環鏈烷、四環鏈烷等之多環鏈烷去除1個以上之氫原子所得之基等例示。前述單環鏈烷，具體而言，例如環戊烷、環己烷等。又，前述多環鏈烷，具體而言，例如金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
    前述烷基胺之具體例如，n-己胺、n-庚胺、n-辛胺、n-壬胺、n-癸胺等之單烷基胺；二乙胺、二-n-丙胺、二-n-庚胺、二-n-辛胺、二環己基胺等之二烷基胺；三甲胺、三乙胺、三-n-丙胺、三-n-丁胺、三-n-戊胺、三-n-己胺、三-n-庚胺、三-n-辛胺、三-n-壬胺、三-n-癸胺、三-n-十二胺等之三烷基胺等。
    前述烷醇胺之具體例如，二乙醇胺、三乙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、二-n-辛醇胺、三-n-辛醇胺、硬脂醯二乙醇胺、月桂基二乙醇胺等。
    環式胺例如，含有作為雜原子之氮原子的雜環化合物等。該雜環化合物，可為單環式者(脂肪族單環式胺)亦可，多環式者(脂肪族多環式胺)亦可。
    脂肪族單環式胺，具體而言，例如哌啶、六氫吡嗪等。
    脂肪族多環式胺，以碳數6~10者為佳，具體而言，例如1,5-二氮雜二環〔4.3.0〕-5-壬烯、1,8-二氮雜二環〔5.4.0〕-7-十一烯、六伸甲基芳香四胺、1,4-二氮雜二環〔2.2.2〕辛烷等。
    其他脂肪族胺，例如，三(2-甲氧基甲氧基乙基)胺、三{2-(2-甲氧基乙氧基)乙基}胺、三{2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基}胺、三{2-(1-甲氧基乙氧基)乙基}胺、三{2-(1-乙氧基乙氧基)乙基}胺、三{2-(1-乙氧基丙氧基)乙基}胺、三〔2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙胺等。
    芳香族胺例如，苯胺、吡啶、4-二甲基胺基吡啶、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑或該些之衍生物、二苯基胺、三苯基胺、三苄基胺等。
    該些可單獨使用亦可，或將2種以上組合使用亦可。
    (D)成份，相對於(A)成份100質量份，通常為使用0.01~5.0質量份之範圍。於上述範圍內時，可提高光阻圖型形狀、存放之經時安定性等。
    本發明中，光阻組成物，就防止感度劣化，或提高光阻圖型形狀、存放之經時安定性等之目的，可添加任意成份之由有機羧酸、磷之含氧酸及其衍生物所成群所選出之至少1種的化合物(E)(以下，亦稱為「(E)成份」)。
    有機羧酸，例如，乙酸、丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、琥珀酸、苯甲酸、水楊酸等為佳。
    磷之含氧酸例如，磷酸、膦酸、次膦酸等，該些之中，特別是以膦酸酸為佳。
    磷之含氧酸之衍生物，例如，上述含氧酸之氫原子被烴基所取代之酯等，前述烴基，例如碳數1~5之烷基、碳數6~15之芳基等。
    磷酸之衍生物例如，磷酸二-n-丁酯、磷酸二苯基酯等磷酸酯等。
    膦酸之衍生物例如，膦酸二甲基酯、膦酸-二-n-丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯基酯、膦酸二苄基酯等膦酸酯等。
    次膦酸之衍生物例如，次膦酸酯或苯基次膦酸等。
    (E)成份可單獨使用1種，或將2種以上合併使用亦可。
    (E)成份，相對於(A)成份100質量份，通常為使用0.01~5.0質量份之範圍。
    本發明中，光阻組成物中，可再配合所期待之目的，適當添加含有具有混和性之添加劑、例如改善光阻膜之性能所附加的樹脂、提升塗佈性所添加之界面活性劑、溶解抑制劑、可塑劑、安定劑、著色劑、抗暈劑、染料等。
    本發明中，光阻組成物，可將材料溶解於有機溶劑(以下，亦稱為「(S)成份」)之方式而可製得。
    (S)成份，只要可溶解所使用之各成份，形成均勻之溶液者即可，其可由以往被作為化學增幅型光阻之溶劑的公知成份中，適當地選擇使用1種或2種以上任意成份。
    例如，γ-丁內酯等之內酯類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基-n-戊酮、甲基異戊酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇類；乙二醇單酯、二乙二醇單酯、丙二醇單酯，或二丙二醇單酯等具有酯鍵結之化合物、前述多元醇類或前述具有酯鍵結之化合物的單甲基醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚等單烷基醚或單苯基醚等具有醚鍵結之化合物等多元醇類之衍生物〔該些之中，又以丙二醇單甲基醚酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚(PGME)為佳〕；二噁烷等環式醚類，或乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等之酯類；苯甲醚、乙基苄基醚、茴香甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、異丙基苯、甲苯、二甲苯、異丙苯、三甲苯等之芳香族系有機溶劑等。
    該些有機溶劑可單獨使用，或以2種以上之混合溶劑方式使用亦可。
    其中又以丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚單甲基醚(PGME)、環己酮、EL為佳。
    又，亦可使用PGMEA與極性溶劑混合所得之混合溶劑。其添加比(質量比)，可考慮PGMEA與極性溶劑之相溶性等，再作適當之決定即可，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2之範圍內。例如添加作為極性溶劑之EL的情形，PGMEA：EL之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2。又，添加作為極性溶劑之PGME的情形，PGMEA：PGME之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2.8~8：2，最佳為3：7~7：3。又，添加作為極性溶劑之PGME及環己酮之情形，PGMEA：(PGME+環己酮)之質量比，較佳為1：9~9：1，更佳為2：8~8：2，最佳為3：7~7：3。
    又，(S)成份，其他又如PGMEA、EL，或前述PGMEA與極性溶劑之混合溶劑，與γ-丁內酯之混合溶劑亦佳。該情形中，混合比例較佳為前者與後者之質量比為70：30~95：5。
    (S)成份之使用量並未有特別限定，其可配合可塗佈於基板等之濃度、塗佈膜厚度等作適當之設定，一般而言，為使用光阻組成物之固體成份濃度為1~20質量%，較佳為2~15質量%之範圍內者。
    本發明之光阻圖型之形成方法，經由正型顯影製程，可以良好之微影蝕刻特性下，安定地形成微細之光阻圖型的。
    本發明之光阻圖型之形成方法，為使用於由含有具有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基之結構單位(a1)的樹脂成份(A1)之光阻組成物，與含有極性有機溶劑之顯影液組合所得之正型顯影製程。
    對使用該光阻組成物所得之光阻膜進行選擇性曝光時，曝光部中，結構單位(a1)中之酸分解性基經由經由酸之作用而分解生成極性基。如此，推測可於顯影之際，經由提高樹脂成份(A1)與顯影液之親和性等，使光阻膜之曝光部溶解、去除而形成解像。此外，因可使曝光部與未曝光部間得到良好之反差，而容易降低「粗糙度」等，進而提高微影蝕刻特性。又，本發明中，為使用含有極性有機溶劑之顯影液。因極性有機溶劑之表面張力較水為小，故與鹼水溶液不同，而可抑制光阻圖型之膨潤或倒塌，而安定地形成光阻圖型。 〔實施例〕
    以下，將以實施例對本發明作更詳細之說明，但本發明並不受該些例示所限制。
    本實施例中，化學式(1)所表示之單位記載為「化合物(1)」，其他式所表示之化合物亦為相同之記載。 〔(A1)成份合成例1：高分子化合物(1)之合成〕
    於繫有溫度計、迴流管及氮氣導入管之分離式燒瓶內，使10.00g(58.77mmol)之化合物(1)，與29.42g(117.54mmol)之化合物(2)，與4.63g(19.59mmol)之化合物(3)溶解於56.60g之甲基乙基酮(MEK)中。於此溶液中，添加作為聚合起始劑之偶氮雙異丁酸二甲酯(V-601)22.52mmol，使其溶解。
    將其於氮氣雰圍下，以4小時時間滴入於加熱至80℃之30.70g的MEK中。滴下結束後，將反應液加熱攪拌1小時，隨後，使反應液冷卻至室溫。
    將所得反應聚合液滴入大量之甲醇中，以進行析出聚合物之操作，將沈澱之白色粉體濾出，使用甲醇洗浄、乾燥，得目的物之高分子化合物(1)26.4g。
    該高分子化合物(1)，經GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算之質量平均分子量(Mw)為8300，分子量分散度(Mw/Mn)為1.96。又，碳13核磁共振圖譜(600MHz_13C-NMR)所求得之共聚組成比(結構式中之各結構單位之比例(莫耳比))為l/m/n=30.8/53.7/15.5。
    〔(A1)成份合成例2~18：高分子化合物(2)~(18)之合成〕
    高分子化合物(2)~(18)，除將衍生為構成各高分子化合物之結構單位的下述化合物(1)~(15)，依特定莫耳比使用以外，其他皆依上述(A1)成份合成例1相同方法予以合成。
    各高分子化合物中，衍生各結構單位之化合物、碳13核磁共振圖譜(600MHz_13C-NMR)所求得之共聚組成比、GPC測定所求得之標準聚苯乙烯換算之質量平均分子量，及分子量分散度(Mw/Mn)係如表1所示。
    <光阻組成物之之製造>
    表2所示各成份混合、溶解，分別製作光阻組成物(1)~(18)。
    表2中，〔 〕內之數值為添加量(質量份)，各簡稱分別具有以下之意義。
    (A)-1~(A)-18：前述之高分子化合物(1)~高分子化合物(18)。
    (B)-1：下述化學式(B)-1所表示之化合物。
    (B)-2：下述化學式(B)-2所表示之化合物。
    (D)-1：三-n-戊胺。
    (E)-1：水楊酸。
    (S)-1：丙二醇單甲基醚乙酸酯。
    (S)-2：丙二醇單甲基醚單甲基醚。 <依正型顯影之光阻圖型之形成> (實施例1~21、比較例1~18)
    將有機系抗反射膜組成物「ARC29A」(商品名、普力瓦科技公司製)使用旋轉塗佈器塗佈於8英吋之矽晶圓上，於熱板上，經205℃、60秒鐘燒培、乾燥結果，形成膜厚82nm之有機系抗反射膜。
    將上述所製造之光阻組成物，使用旋轉塗佈器分別塗佈於該有機系抗反射膜上，於熱板上，依表3~7所示各燒焙溫度(PAB，℃)進行60秒鐘之預燒焙(PAB)，經乾燥後，形成膜厚140nm之光阻膜。
    隨後，對於該光阻膜，使用ArF曝光裝置NSR-S302(NIKON公司製；NA(開口數)=0.60、2/3Annular)，介由以線路寬度160nm/間距320nm之線路與空間圖型(LS圖型)作為標靶之光遮罩(6%網版(Half Tone))，以ArF準分子雷射(193nm)對前述光阻膜進行選擇性照射。
    隨後，依表3~7所示各燒焙溫度(PEB，℃)進行60秒鐘之曝光後加熱(PEB)處理，分別使用表3~7所示顯影液，於23℃下進行進行60秒鐘之顯影處理。隨後，僅比較例之情形為使用純水，於23℃下進行60秒鐘之水洗滌，隨後分別進行振動乾燥。
    其結果得知，無論任一例示中，光阻膜之曝光部皆被溶解、去除，而形成以等間隔(間距320nm)配置寬160nm之線路的LS圖型。形成該LS圖型之最佳曝光量Eop(mJ/cm2)係如表3~7所示。
    表中，MeOH為甲醇、EtOH為乙醇、IPA為異丙醇、TMAH為2.38質量%氫氧化四甲基銨水溶液(商品名：NMD-3、東京應化工業(股)製)之各意義。 〔LWR(線路寬度「粗糙度」)之評估〕
    於前述Eop所形成之線路寬度160nm、間距320nm之LS圖型中，使用測長SEM(掃瞄型電子顯微鏡、加速電壓800V、商品名：S-9380、日立之製造所公司製)，依線路之長度方向測定400處線路寬度，由其結果求取標準誤差(s)之3倍值(3s)，並求取5處之3s所得之平均值作為「LWR(nm)」。其結果係如表3~7所示
    該3s之數值越小時，表示線寬之「粗糙度」越小，而可得到具有更均勻寬度之LS圖型之意。 〔圖型耐倒塌性之評估〕
    於以線路寬度160m、間距320nm作為標靶尺寸之LS圖型之形成中，依序增加選擇性曝光中之曝光時間，並測定Eop中曝光量過大而使圖型開始產生倒塌前之線路寬度(產生解像之臨界尺寸)。其結果標記為「圖型倒塌(nm)」，並記載如表3~7所示。


    由表3~7之結果得知，依實施例1~21之方法所形成之光阻圖型，與分別對應之比較例1~18之方法所形成之光阻圖型相比較時，確認具有更低之「粗糙度」，且圖型不易倒塌。
    以上，為說明本發明較佳實施例，但本發明並不受該些實施例所限定。於未超脫本發明主旨之範圍，對於構成內容之附加、省略、取代，及其他變更皆為可能之範圍。本發明不受前述說明所限定，僅受所附申請專利範圍所限定。
    权利要求:
    Claims (5)
    [1] 一種光阻圖型之形成方法，其為包含，使用含有經由酸之作用而增大對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)，與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)所得之光阻組成物，於支撐體上形成光阻膜之步驟、使前述光阻膜曝光之步驟，及對前述光阻膜，使用含有前述有機溶劑之顯影液以正型顯影方式進行圖型描繪(patterning)以形成光阻圖型之步驟的光阻圖型之形成方法，其特徵為，前述基材成份(A)為使用含有具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位(a1)之樹脂成份(A1)，前述顯影液為使用含有極性有機溶劑，且實質上不含鹼成份之顯影液。
    [2] 如申請專利範圍第1項之光阻圖型之形成方法，其中，前述顯影液為由極性有機溶劑所形成。
    [3] 如申請專利範圍第1項之光阻圖型之形成方法，其中，前述極性有機溶劑為醇系溶劑。
    [4] 如申請專利範圍第1項之光阻圖型之形成方法，其中，前述樹脂成份(A1)尚具有由丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含內酯之環式基的結構單位(a2)，及丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含-SO2-之環式基的結構單位(a0)所成群所選出之至少一種的結構單位，前述結構單位(a2)及前述結構單位(a0)中之丙烯酸酯為α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代者。
    [5] 如申請專利範圍第1~4項中任一項之光阻圖型之形成方法，其中，前述樹脂成份(A1)，尚具有α位之碳原子所鍵結之氫原子可被取代基所取代之丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有含極性基之脂肪族烴基的結構單位(a3)。
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    TWI380999B|2013-01-01|高分子化合物、正型光阻組成物及光阻圖型之形成方法
    JP5871577B2|2016-03-01|レジストパターン形成方法
    JP5715918B2|2015-05-13|レジスト組成物、レジストパターン形成方法
    TWI534546B|2016-05-21|光阻圖型之形成方法
    TWI522738B|2016-02-21|光阻組成物、光阻圖型之形成方法及高分子化合物
    JP5816502B2|2015-11-18|レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
    TW201309739A|2013-03-01|光阻組成物及光阻圖型之形成方法，與高分子化合物及製造方法
    JP5783861B2|2015-09-24|レジストパターン形成方法
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP5663338B2|2015-02-04|
    KR101838300B1|2018-03-13|
    US20120208131A1|2012-08-16|
    KR20120100729A|2012-09-12|
    JP2012168334A|2012-09-06|
    TWI534546B|2016-05-21|
    US8586288B2|2013-11-19|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JP3000745B2|1991-09-19|2000-01-17|富士通株式会社|レジスト組成物とレジストパターンの形成方法|
    JPH06194847A|1992-12-22|1994-07-15|Tokuyama Sekiyu Kagaku Kk|ネガ型フォトレジスト用現像液|
    JP3798458B2|1996-02-02|2006-07-19|東京応化工業株式会社|オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤|
    US5908730A|1996-07-24|1999-06-01|Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.|Chemical-sensitization photoresist composition|
    JP3854689B2|1997-07-24|2006-12-06|東京応化工業株式会社|新規な光酸発生剤|
    JP3980124B2|1997-07-24|2007-09-26|東京応化工業株式会社|新規ビススルホニルジアゾメタン|
    JP3865473B2|1997-07-24|2007-01-10|東京応化工業株式会社|新規なジアゾメタン化合物|
    JP3935267B2|1998-05-18|2007-06-20|東京応化工業株式会社|新規なレジスト用酸発生剤|
    US6153733A|1998-05-18|2000-11-28|Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.||
    TW548516B|2000-04-13|2003-08-21|Shinetsu Chemical Co|Resist composition and patterning process|
    JP2002090991A|2000-09-13|2002-03-27|Fuji Photo Film Co Ltd|ポジ型レジスト組成物|
    JP3895224B2|2001-12-03|2007-03-22|東京応化工業株式会社|ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法|
    JP4560507B2|2003-02-19|2010-10-13|チバホールディングインコーポレーテッド|ハロゲン化オキシム誘導体及び潜在的酸としてのそれらの使用|
    JP4554665B2|2006-12-25|2010-09-29|富士フイルム株式会社|パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液|
    JP5469954B2|2008-08-22|2014-04-16|東京応化工業株式会社|ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物|
    JP5262650B2|2008-12-05|2013-08-14|Ｊｓｒ株式会社|ポジ型レジストパターン形成方法及びポジ型レジストパターン形成用現像液|
    JP5183449B2|2008-12-15|2013-04-17|富士フイルム株式会社|ネガ型現像用レジスト組成物を用いたパターン形成方法|
    JP5386236B2|2009-06-01|2014-01-15|東京応化工業株式会社|ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法|JP2014089404A|2012-10-31|2014-05-15|Fujifilm Corp|パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス|
    US9772558B2|2013-09-24|2017-09-26|International Business Machines Corporation|Sulfonic acid ester containing polymers for organic solvent based dual-tone photoresists|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011028986A|JP5663338B2|2011-02-14|2011-02-14|レジストパターン形成方法|
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